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AS7C31025C-12TJINTR Alliance Memory, Inc. as7c31025c-12tjintr -
RFQ
ECAD 1164 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS6C3216A-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C3216A-55BIN 20.2706
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ECAD 8380 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C3216 SRAM 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 220 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns SRAM 2m x 16 평행한 55ns
PC28F512P33BFD Alliance Memory, Inc. PC28F512P33BFD 8.4000
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ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga PC28F512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 64-lbga (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-PC28F512P33BFD 3A991B1A 8542.32.0071 300 52MHz 비 비 512mbit 95 ns 플래시 32m x 16 평행한 -
AS4C256M16D3B-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BIN -
RFQ
ECAD 2093 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1445 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C1G8MD3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C1G8MD3L-12BCN -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C1G8 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x13.2) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 170 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 13.75 ns 음주 1g x 8 평행한 -
AS6C62256-55SCN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SCN 3.4500
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ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.330 ", 8.38mm 너비) AS6C62256 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 28-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1034 귀 99 8542.32.0041 25 휘발성 휘발성 256kbit 55 ns SRAM 32k x 8 평행한 55ns
AS4C128M8D3LB-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BAN 7.3817
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ECAD 4509 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C32M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2A-25BIN 4.5000
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ECAD 21 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C32 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1289 3A991B2A 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS7C34098A-8TANTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-8TANTR 4.9978
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ECAD 9683 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP II - 3 (168 시간) 1450-AS7C34098A-8TANTR 500 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 256k x 16 평행한 8ns
AS6C2008A-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55BIN 3.2194
RFQ
ECAD 8764 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C128M8D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LA-12BCN -
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C4098A-20JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-20JINTR 5.0090
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ECAD 7207 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 256k x 16 평행한 20ns
AS6C1008-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55STIN 3.3300
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ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C1008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1019 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
AS4C32M16SM-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SM-7tin -
RFQ
ECAD 1711 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1125 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
AS4C16M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6TCN 4.2900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1252 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS7C4096A-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-15JCNTR 4.7627
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ECAD 4625 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS7C316098B-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C316098B-10BINTR 16.6915
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS7C316098B-10BINTR 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
AS7C1024B-15TJIN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-15TJIN 3.2631
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ECAD 6589 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 22 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C256M8D3A-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3A-12BCNTR -
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 90 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS7C34098A-10JIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10JIN 6.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
MT48LC4M32B2TG-6A IT:L Alliance Memory, Inc. MT48LC4M32B2TG-6A IT : l -
RFQ
ECAD 1501 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC4M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 12ns
AS7C1025B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c1025b-15jcntr 3.1324
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS7C1024B-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12JIN 3.2631
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C34096A-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-15TCNTR 4.5617
RFQ
ECAD 8741 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS6C2008A-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C2008A-55STINTR 3.1434
RFQ
ECAD 7189 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C2008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
AS4C8M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5TINTR -
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
AS4C64M16D1-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1-6TCN 26.0900
RFQ
ECAD 347 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C64 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1332 귀 99 8542.32.0032 108 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 700 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C1M16S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-6tintr 2.1865
RFQ
ECAD 9542 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C1M16 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.4 ns 음주 1m x 16 평행한 2ns
AS4C256M16D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LA-12BAN -
RFQ
ECAD 5261 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C4098A-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C4098A-12TIN 5.8900
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4098 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 12 ns SRAM 256k x 16 평행한 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고