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통합 통합 (ICS) (1624)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
AS7C4096A-20JIN Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-20JIN 5.2767
RFQ
 ECAD 1905 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C4096 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 20 ns SRAM 512k x 8 평행한 20ns
AS4C4M16SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-7TCNTR 2.2706
RFQ
 ECAD 8725 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS4C32M8SA-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M8SA-6TIN 4.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 32m x 8 평행한 -
AS4C16M16SB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-6BIN 4.9941
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C16M16SB-6BIN 귀 99 8542.32.0024 348 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 lvttl 12ns
AS7C31024B-20TJCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-20TJCN 3.6256
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 22 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
AS4C2M32D1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5BIN -
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-bga - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1320 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS4C64M16D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BINTR 5.5500
RFQ
 ECAD 8671 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS7C1026B-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-20JCN 3.6256
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1026 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 64k x 16 평행한 20ns
AS7C34098B-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10BIN 6.7300
RFQ
 ECAD 496 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1436 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
AS7C256A-10TINTR Alliance Memory, Inc. as7c256a-10tintr 2.1865
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
AS4C512M8D3LB-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BINTR -
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M8D3LB-10BINTR 쓸모없는 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS7C256A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-15TIN 2.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2-25BIN -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA AS4C64 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TFBGA (8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0032 209 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C128M8D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BINTR 5.7000
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C32M32MD2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD2-25BCN -
RFQ
 ECAD 7221 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C2M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1410 귀 99 8542.32.0032 128 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
AS6C1008-55STINL Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55STINL 3.2512
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C1008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 32-Stsop 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 55ns
AS4C128M16D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BCN -
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1085 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C128M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2-25BIN -
RFQ
 ECAD 5832 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1087 귀 99 8542.32.0032 264 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS4C64M16D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3LB-12BIN 7.7500
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3LC-10BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-10BAN 14.6900
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D3LC-10BAN 귀 99 8542.32.0036 209 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C8M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6TCNTR -
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 2ns
AS7C31026C-12JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026C-12JINTR -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31026 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
AS4C8M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6TCN 3.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1266 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 12ns
AS7C316098A-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C316098A-10BIN 23.2300
RFQ
 ECAD 907 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS7C316098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1056 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
AS4C16M16SA-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6tintr 3.9706
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C16M16S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6tintr -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C512M8D3B-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BIN -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) - ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C128M32MD2-18BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2-18BCNTR -
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -25 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C128 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 15ns
AS4C512M16D3LB-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LB-12BCN 28.3700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1493 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
AS6C4008A-55ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008A-55zintr -
RFQ
 ECAD 9979 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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