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통합 통합 (ICS) (1624)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
AS4C128M16D3A-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BCN -
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1373 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS1C4M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C4M16PL-70BIN 4.1879
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 49-WFBGA AS1C4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 49-FBGA (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1478 3A991B2A 8542.32.0041 490 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 -
AS7C1024B-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-15TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C2M32SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32SA-7TCN 3.1724
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1285 3A991B2A 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
MT47H128M16PK-25E IT:C Alliance Memory, Inc. MT47H128M16PK-25E IT : c -
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA MT47H128M16 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (9x12.5) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1342 귀 99 8542.32.0036 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS7C34098A-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15TCNTR 4.5617
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 256k x 16 평행한 15ns
AS4C4M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BINTR -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
AS4C4M32S-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6BIN 6.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 190 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 2ns
AS4C64M16MD2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD2-25BCN -
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-VFBGA AS4C64 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1412 귀 99 8542.32.0032 128 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
AS6C4008-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55BIN 4.5163
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS6C4008A-55STIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008A-55STIN -
RFQ
 ECAD 8370 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-LFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-Stsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS7C1024B-15JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-15JCN 3.1724
RFQ
 ECAD 9879 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 15 ns SRAM 128k x 8 평행한 15ns
AS4C128M16D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BCN -
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1085 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C32M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-6TIN 16.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C32 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5 ns 음주 32m x 16 평행한 12ns
AS4C512M8D3A-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BANTR -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-VFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C256M16D4-83BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D4-83BINTR 8.1795
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C256M16D4-83BINTR 2,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 256m x 16 현물 현물 지불 15ns
AS4C1G8D3LA-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BINTR 22.0115
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C1G8D3LA-10BINTR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
AS6C8016-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55BIN 7.9500
RFQ
 ECAD 414 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C8016 sram- 비동기 2.7V ~ 5.5V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1040 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
AS4C256M16D3LB-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-10BCNTR -
RFQ
 ECAD 5219 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (13.5x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C256M16D3LB-10BCNTR 쓸모없는 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C256M16D3B-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BAN -
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (13.5x9) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1444 귀 99 8542.32.0036 180 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS7C32098A-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C32098A-10TIN 5.0129
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C32098 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 44-TSOP2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
AS4C4M32S-6BCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32S-6BCN 5.3800
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C4M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C4M32S-6BCN 귀 99 8542.32.0002 190 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 lvttl -
AS4C2M32S-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6TCN -
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS4C16M16SA-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6TCNTR 3.3915
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C128M16D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BAN -
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1372 귀 99 8542.32.0036 209 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6BIN 3.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C4M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1257 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 2ns
MT48LC2M32B2TG-6A:J Alliance Memory, Inc. MT48LC2M32B2TG-6A : J. -
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC2M32B2 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 12ns
AS7C256A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C256A-15TIN 2.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 15 ns SRAM 32k x 8 평행한 15ns
AS4C16M16SA-6TAN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SA-6TAN 6.8400
RFQ
 ECAD 495 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1251 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C128M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BCN 8.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C128M16D3LC-12BCN 귀 99 8542.32.0036 198 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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