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AS4C16M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1-5TIN -
RFQ
ECAD 1884 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
AS4C512M8D4-75BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-75BCNTR 7.3815
RFQ
ECAD 5425 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x10.6) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C512M8D4-75BCNTR 2,500 1.333 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 18 ns 음주 512m x 8 현물 현물 지불 15ns
AS6C1616B-45TINTR Alliance Memory, Inc. as6c1616b-45tintr 8.6823
RFQ
ECAD 5789 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS6C1616B-45TINTR 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
AS4C8M16S-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-7BCNTR -
RFQ
ECAD 3516 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA AS4C8M16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 2ns
PC28F256P30BFF Alliance Memory, Inc. PC28F256P30BFF 6.9000
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Alliance Memory, Inc. Strataflash ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-TBGA 플래시- m (MLC) 1.7V ~ 2V 64-ESYBGA (10x13) - 3 (168 시간) 1450-PC28F256P30BFFTR 2,000 52MHz 비 비 256mbit 100 ns 플래시 16m x 16 CFI -
AS4C64M16D3B-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BAN 8.7000
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C64 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR Alliance Memory, Inc. MT48LC16M16A2TG-6A IT : GTR -
RFQ
ECAD 4328 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) MT48LC16M16A2 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS4C512M8D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3L-12BAN -
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1308 귀 99 8542.32.0036 220 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C2M32S-7BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-7BCNTR 3.1099
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA AS4C2M32 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 2ns
AS7C164A-15PINTR Alliance Memory, Inc. AS7C164A-15PINTR 4.0112
RFQ
ECAD 4821 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 28-DIP (0.300 ", 7.62mm) AS7C164 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 64kbit 15 ns SRAM 8k x 8 평행한 15ns
AS7C31025B-12TJCNTR Alliance Memory, Inc. as7c31025b-12tjcntr 2.9779
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS4C16M16S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16S-6tintr -
RFQ
ECAD 6068 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C16 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 12ns
AS7C1025B-10TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-10TJCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C1025 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
AS4C128M16D3LB-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LB-12BCNTR -
RFQ
ECAD 8528 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
AS4C256M8D3-15BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-15BCN -
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 90 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
AS4C2M32D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32D1-5TIN -
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ECAD 7507 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - AS4C2M32 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1318 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 700 PS 음주 2m x 32 평행한 15ns
AS4C256M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BINTR -
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C128M8D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2A-25BCNTR 4.4911
RFQ
ECAD 2146 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA AS4C128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
AS7C34096A-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-15JCNTR 4.7627
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C34096 sram- 비동기 확인되지 확인되지 3V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 500 휘발성 휘발성 4mbit 15 ns SRAM 512k x 8 평행한 15ns
AS6C6416-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C6416-55BIN 32.3500
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-LFBGA AS6C6416 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 220 휘발성 휘발성 64mbit 55 ns SRAM 4m x 16 평행한 55ns
AS7C31025C-10TJINTR Alliance Memory, Inc. as7c31025c-10tjintr -
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
AS7C31025B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c31025b-12jcntr 2.9779
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31025 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
AS7C31024B-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31024B-20JCN 3.6256
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ECAD 3974 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) AS7C31024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 21 휘발성 휘발성 1mbit 20 ns SRAM 128k x 8 평행한 20ns
AS7C256A-20JCNTR Alliance Memory, Inc. as7c256a-20jcntr 2.2706
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) AS7C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 256kbit 20 ns SRAM 32k x 8 평행한 20ns
AS4C256M16D3LC-10BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-10BANTR 11.0250
RFQ
ECAD 3594 0.00000000 Alliance Memory, Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) 다운로드 3 (168 시간) 1450-AS4C256M16D3LC-10BANTR 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
AS4C32M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3L-12BIN 4.7491
RFQ
ECAD 4590 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-VFBGA AS4C32 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-1428 귀 99 8542.32.0028 190 800MHz 휘발성 휘발성 512mbit 20 ns 음주 32m x 16 평행한
AS6C4008A-55ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008A-55zintr -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) AS6C4008 sram- 비동기 2.7V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
AS4C512M8D3B-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BCNTR -
RFQ
ECAD 4182 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
AS4C8M32S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6tintr 5.7090
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) AS4C8M32 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
AS4C512M16D3LA-10BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BAN 38.1200
RFQ
ECAD 180 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA AS4C512 sdram -ddr3l 1.275V ~ 1.425V 96-FBGA (13.5x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1450-AS4C512M16D3LA-10BAN 귀 99 8542.32.0036 180 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고