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영상 | 제품 번호 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 가능한 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 상태 | 작동 온도 | 장착 유형 | 패키지 / 케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 업체 장치 패키지 | 데이터 시트 | ROHS 상태 | 수분 감도 수준 (MSL) | 상태에 도달하십시오 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 표준 패키지 | 시계 주파수 | 메모리 유형 | 메모리 크기 | 액세스 시간 | 메모리 형식 | 메모리 조직 | 메모리 인터페이스 | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 |
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![]() | GD25LQ32DSIG | 1.0800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | GD25LQ32 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 2.4ms | |||
![]() | GD25LQ16CSIG | 0.4195 | ![]() | 7089 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 튜브 | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | GD25LQ16 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 2.1V | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 비 휘발성 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 50 대, 2.4ms | |||
![]() | gd5f1gq5ueyjgr | 2.9324 | ![]() | 5226 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD5F | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 -Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | 1970-gd5f1gq5ueyjgrtr | 3,000 | 133 MHz | 비 휘발성 | 1gbit | 7 ns | 플래시 | 256m x 4 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | 600µs | |||||||
![]() | GD25F128FSIGR | 1.3198 | ![]() | 2850 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25F | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25F128FSIGRTR | 2,000 | 200MHz | 비 휘발성 | 128mbit | 플래시 | 16m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | - | ||||||||
![]() | GD25D05CKIGR | 0.2725 | ![]() | 6700 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-xfdfn 노출 패드 | GD25D05 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 8-uson (1.5x1.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100MHz | 비 휘발성 | 512kbit | 플래시 | 64k x 8 | SPI- 듀얼 I/O | 50µs, 4ms | |||
![]() | gd5f1gq5reyigr | 2.4898 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD5F | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 2V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | 1970-gd5f1gq5reyigrtr | 3,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 1gbit | 9.5 ns | 플래시 | 256m x 4 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | 600µs | |||||||
GD25Q20 코그 | - | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | GD25Q20 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 8-tssop | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120MHz | 비 휘발성 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 50 대, 2.4ms | ||||
![]() | GD25F64FSAG | 1.4939 | ![]() | 7244 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25F | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | - | 1970-GD25F64FSAGRTR | 2,000 | 200MHz | 비 휘발성 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, DTR | - | ||||||||
![]() | GD9FS8G8E2AMGI | 14.9396 | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD9F | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | 플래시 -Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-tsop i | 다운로드 | 1970-GD9FS8G8E2AMGI | 960 | 비 휘발성 | 8gbit | 22 ns | 플래시 | 1g x 8 | onfi | 25ns | ||||||||
![]() | GD25LB256EFIRR | 2.4606 | ![]() | 7001 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LB | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | 다운로드 | 1970-GD25LB256EFIRRTR | 1,000 | 166 MHz | 비 휘발성 | 256mbit | 6 ns | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | 70µs, 1.2ms | |||||||
![]() | GD25LB512MEY2GY | 7.1953 | ![]() | 5315 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LB | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LB512MEY2GY | 4,800 | 133 MHz | 비 휘발성 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
![]() | gd25wq80etjgr | 0.5242 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25WQ | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | 다운로드 | 1970-gd25wq80etjgrtr | 3,000 | 84 MHz | 비 휘발성 | 8mbit | 12 ns | 플래시 | 1m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 240µs, 8ms | |||||||
![]() | GD25B256EFIRR | 2.4461 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25B | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | 다운로드 | 1970-GD25B256EFIRRTR | 1,000 | 비 휘발성 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | - | |||||||||
![]() | GD25LQ32DWIGG | 0.8494 | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | GD25LQ32 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 2.4ms | |||
![]() | gd25wb256eyjgr | 2.9601 | ![]() | 2941 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25WB | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | 1970-GD25WB256EYJGRTR | 3,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 256mbit | 7.5 ns | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 300µs, 8ms | |||||||
![]() | GD25Q20CSIG | - | ![]() | 6991 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | GD25Q20 | 플래시 - NO | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 120MHz | 비 휘발성 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 50 대, 2.4ms | |||
![]() | gd25lq32ewigy | 0.6760 | ![]() | 2202 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LQ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | 다운로드 | 1970-GD25LQ32WIGY | 5,700 | 133 MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 6 ns | 플래시 | 4m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | 60µs, 2.4ms | |||||||
![]() | GD25LQ64CQIGR | - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-xdfn 노출 패드 | GD25LQ64 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 2V | 8-uson (4x4) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120MHz | 비 휘발성 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 2.4ms | |||
![]() | gd25lq64csigr | 1.4100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | - | 테이프 & 릴 (TR) | 새로운 디자인이 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | GD25LQ64 | 플래시 - NO | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 않습니다 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120MHz | 비 휘발성 | 64mbit | 플래시 | 8m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 2.4ms | |||
![]() | GD25LR256EWIG | 2.8079 | ![]() | 7360 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LR | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (5x6) | - | 1970-GD25LR256EWIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 256mbit | 9 ns | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | 70µs, 1.2ms | |||||||
![]() | GD25LQ40CE2GR | 0.6222 | ![]() | 2683 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LQ | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-xfdfn 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8- 호스 (3x2) | - | 1970-GD25LQ40CE2GRTR | 3,000 | 90MHz | 비 휘발성 | 4mbit | 7 ns | 플래시 | 512k x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 80µs, 3ms | |||||||
![]() | GD25LR256EB2RY | 4.2826 | ![]() | 6794 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LR | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 24-TBGA | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25LR256EB2RY | 4,800 | 비 휘발성 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | - | |||||||||
![]() | gd25q40etegr | 0.4101 | ![]() | 9638 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25Q | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | 다운로드 | 1970-GD25Q40ETERTRTR | 3,000 | 133 MHz | 비 휘발성 | 4mbit | 7 ns | 플래시 | 512k x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 140µs, 4ms | |||||||
![]() | gd25q20eeagr | 0.5656 | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25Q | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-xfdfn 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8- 호스 (3x2) | - | 1970-GD25Q20EEAGRT | 3,000 | 133 MHz | 비 휘발성 | 2mbit | 7 ns | 플래시 | 256k x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 140µs, 4ms | |||||||
![]() | GD25LB512MEYIGY | 4.5752 | ![]() | 9443 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LB | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | 1970-GD25LB512Meyigy | 4,800 | 133 MHz | 비 휘발성 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
![]() | GD25LQ128DS2GR | 2.0015 | ![]() | 7643 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LQ | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 1970-GD25LQ128DS2GRTR | 2,000 | 104 MHz | 비 휘발성 | 128mbit | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | 2.4ms | |||||||
![]() | GD25LQ32EQEGR | 0.9828 | ![]() | 3861 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LQ | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-xdfn 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-uson (4x4) | 다운로드 | 1970-GD25LQ32EQEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 비 휘발성 | 32mbit | 6 ns | 플래시 | 4m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI | 100µs, 4ms | |||||||
![]() | GD25LQ128EFIRR | 1.4778 | ![]() | 3146 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25LQ | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | 다운로드 | 1970-GD25LQ128EFIRRTR | 1,000 | 120MHz | 비 휘발성 | 128mbit | 6 ns | 플래시 | 16m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 60µs, 2.4ms | |||||||
![]() | GD25B128EYIGY | 1.2709 | ![]() | 5180 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD25B | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 마운트 | 8-WDFN 노출 패드 | 플래시 - NO (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | 다운로드 | 1970-GD25B128EYIGY | 4,800 | 133 MHz | 비 휘발성 | 128mbit | 7 ns | 플래시 | 16m x 8 | SPI- 쿼드 I/O | 70µs, 2.4ms | |||||||
![]() | GD55LT01GEF2RR | 17.1434 | ![]() | 6424 | 0.00000000 | Gigadevice 반도체 (HK) 제한 | GD55LT | 테이프 & 릴 (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 마운트 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | 플래시 - NO (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD55LT01GEF2RRTR | 1,000 | 비 휘발성 | 1gbit | 플래시 | 128m x 8 | SPI- 쿼드 I/O, QPI, DTR | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
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