SIC
close

통합 통합 (ICS) (847)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
GD25LH16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH16EGIG 0.6080
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 1970-GD25LH16ENGRT 3,000
GD25LR128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128ewig 1.8258
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LR 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) - 1970-GD25LR128EWIGRTR 3,000 200MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q16EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EQIGR 0.5678
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xdfn d 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-uson (4x4) 다운로드 1970-GD25Q16EQIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2ms
GD25LD40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld40etigr 0.2865
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LD 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOP 다운로드 1970-GD25LD40etigrtr 3,000 50MHz 비 비 4mbit 12 ns 플래시 512k x 8 spi-듀얼 i/o 100µs, 6ms
GD5F2GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYYYYY -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD5F2GQ4 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120MHz 비 비 2gbit 플래시 256m x 8 spi-쿼드 i/o 700µs
GD25B16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEIG 0.5242
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25B16EEIGRTRT 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2ms
GD25WD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CEIG 0.5200
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25WD20 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o -
GD5F4GQ4RCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4rcyigy -
RFQ
 ECAD 1688 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 GD5F4GQ4 플래시 - NAND 1.7V ~ 2V 8-wson (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120MHz 비 비 4gbit 플래시 512m x 8 spi-쿼드 i/o
GD25LF32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF32ENEGR 0.9817
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8- 호스 (3x4) 다운로드 1970-GD25LF32ENEGRTR 3,000 133 MHz 비 비 32mbit 5.5 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 100µs, 4ms
GD25VQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIGR -
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25VQ16 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50µs, 3ms
GD25WQ32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq32eligr 0.7862
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-XFBGA, WLCSP 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wlcsp - 1970-gd25wq32eligrtr 3,000 104 MHz 비 비 32mbit 8 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25Q20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CEIG 0.5700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25Q20 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25LE128EWJGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le128ewjgy 1.5901
RFQ
 ECAD 1919 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LE 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-gd25le128ewjgy 5,700 133 MHz 비 비 128mbit 6 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25LQ16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EEIG 0.5533
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2.1V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25LQ16eeigtrtt 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 6 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
GD25Q40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q40ceigr 0.4800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25Q40 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25VE16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIG -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) GD25ve16 플래시 - 아니오 2.1V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD5F2GQ5RFBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5rfbigy 4.3225
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 쟁반 활동적인 - 1970-gd5f2gq5rfbigy 4,800
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIG -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25ve40 플래시 - 아니오 2.1V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25WR256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WR256EYIGY 2.6761
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WR 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD25WR256YIGY 4,800 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CNIGR -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD25B16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEAGR 0.8845
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25B 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8- 호스 (3x2) - 1970-GD25B16EEAGRT 3,000 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0.6937
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25Q16 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 120MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 50., 2.4ms
GD55B01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55b01gey2gy 13.1250
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55B 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD55B01gey2gy 8542.32.0071 4,800 133 MHz 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25Q128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128ESIG 1.9300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) GD25Q128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 128mbit 7 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2.4ms
GD55LT01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55lt01gey2gy 16.9841
RFQ
 ECAD 7137 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD55LT 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-wson (6x8) - 1970-GD55LT01GEY2GY 4,800 비 비 1gbit 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25B64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64WIGG 1.4100
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3,000 133 MHz 비 비 64mbit 7 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o 70µs, 2.4ms
GD25WD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd05ceigr 0.2885
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 GD25WD05 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 spi-쿼드 i/o -
GD25LF255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255 ELIG 2.3876
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LF 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25LF255 ELIGRTR 3,000 166 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr -
GD25WQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq128ewigg 1.4385
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25WQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 3.6V 8-wson (5x6) 다운로드 1970-GD25WQ128EWIGRTR 3,000 104 MHz 비 비 128mbit 8 ns 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o 120µs, 4ms
GD25LE255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255 ELIGR 2.4585
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Gigadevice ice (hk) 제한 GD25LE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8- 호스 (3x2) 다운로드 1970-GD25LE255 ELIGRTR 3,000 133 MHz 비 비 256mbit 6 ns 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 60µs, 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다