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통합 통합 (ICS) (347)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	i/o 수의	핵심 핵심	핵심 핵심	속도	연결성	주변 주변	프로그램 프로그램 크기	프로그램 프로그램 유형	eeprom 크기	램 램	전압- v (VCC/VDD)	데이터 데이터	발진기 발진기	시계 시계	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	sic 프로그램 가능
S29GL064N90TFI020	-	RFQ	1896	스팬션	GL-N	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29GL064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드						0000.00.0000	1															비 비	64mbit	90 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	90ns
S26KS256SDGBHN030	10.6600	RFQ	358	스팬션	Hyperflash ™ KS	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	24-VBGA	S26KS256	플래시 - 아니오	1.7V ~ 1.95V	24-FBGA (6x8)	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	29														133 MHz	비 비	256mbit	96 ns	플래시	32m x 8	평행한	-	확인되지 확인되지
S29GL128N11TFVR10	7.6600	RFQ	91	스팬션	GL-N	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29GL128	플래시 - 아니오	3V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	128mbit	110 ns	플래시	16m x 8, 8m x 16	평행한	110ns
S25FL512SDPMFV010	-	RFQ	9716	스팬션	FL-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	S25FL512	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	1														66MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o	-
S29GL256P10TFI010	-	RFQ	1308	스팬션	GL-P	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29GL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	56-tsop	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	256mbit	100 ns	플래시	32m x 8	평행한	100ns
S6E1A11B0AGP20000	1.3200	RFQ	473	스팬션	FM0+ S6E1A1	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	32-LQFP	S6E1A11			32-LQFP (7x7)	다운로드					3A991A2	8542.31.0001	1	23	ARM® Cortex®-M0+	32 비트 싱글 비트	40MHz	CSIO, I²C, Linbus, UART/USART	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	56KB (56k x 8)	플래시	-	6k x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 5x12b	내부
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S25FS512SDSNFI010	8.2300	RFQ	530	스팬션	FS-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	S25FS512	플래시 - 아니오	1.7V ~ 2V	8-wson (6x8)	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	37														80MHz	비 비	512mbit		플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-	확인되지 확인되지
S29AL008J70BFM020	-	RFQ	5155	스팬션	Al-J	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	48-VFBGA	S29AL008	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-FBGA (8.15x6.15)	다운로드					귀 99	8542.32.0071	1															비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
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S34MS01G200BHI000	3.5500	RFQ	6921	스팬션	MS-2	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	63-VFBGA	S34MS01	플래시 - NAND	1.7V ~ 1.95V	63-BGA (11x9)	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	1gbit	45 ns	플래시	128m x 8	평행한	45ns
S29GL256N11FFA020	11.5800	RFQ	440	스팬션	GL-N	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	256mbit	110 ns	플래시	32m x 8, 16m x 16	평행한	110ns
S29GL01GT12DHN010Y	13.3300	RFQ	469	스팬션	GL-T	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL01	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (9x9)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	1gbit	120 ns	플래시	128m x 8	평행한	60ns
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S25FL256LAGNFV011	-	RFQ	7940	스팬션	FL-L	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-wdfn n 패드	S25FL256	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	8-wson (6x8)	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	1														133 MHz	비 비	256mbit		플래시	32m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi	-
S29AL008J70TFA023	-	RFQ	7674	스팬션	자동차, AEC-Q100, Al-J	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)	S29AL008	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	48-tsop	다운로드					귀 99	8542.32.0071	1															비 비	8mbit	70 ns	플래시	1m x 8, 512k x 16	평행한	70ns
S6E1A11C0AGF20000	1.8600	RFQ	180	스팬션	FM0+ S6E1A1	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	52-LQFP	S6E1A11			52-LQFP (10x10)	다운로드					3A991A2	8542.31.0001	1	37	ARM® Cortex®-M0+	32 비트 싱글 비트	40MHz	CSIO, I²C, Linbus, UART/USART	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	56KB (56k x 8)	플래시	-	6k x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 8x12b	내부
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S25FL129P0XMFV003	-	RFQ	1865	스팬션	FL-P	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	S25FL129	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0051	1														104 MHz	비 비	128mbit		플래시	16m x 8	spi-쿼드 i/o	5µs, 3ms
S29GL128p10ffis10a	4.9900	RFQ	180	스팬션	GL-P	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	128mbit	100 ns	플래시	16m x 8	평행한	100ns
S29GL064S80DHV023	-	RFQ	3142	스팬션	GL-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (9x9)	다운로드					3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	64mbit	80 ns	플래시	8m x 8, 4m x 16	평행한	60ns
S29GL128p10ffi010a	-	RFQ	8660	스팬션	GL-P	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	128mbit	100 ns	플래시	16m x 8	평행한	100ns
S25FL064P0XBHIS30A	2.3300	RFQ	426	스팬션	FL-P	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TBGA	S25FL064	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0071	1														104 MHz	비 비	64mbit		플래시	8m x 8	spi-쿼드 i/o	5µs, 3ms
S29GL128S10FHI020A	-	RFQ	9988	스팬션	GL-S	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	64-lbga	S29GL128	플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		3A991B1A	8542.32.0071	1															비 비	128mbit	100 ns	플래시	8m x 16	평행한	60ns
S6E1A12C0AGV20000	1.6000	RFQ	1184	스팬션	FM0+ S6E1A1	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	48-LQFP	S6E1A12			48-LQFP (7x7)	다운로드					3A991A2	8542.31.0001	1	37	ARM® Cortex®-M0+	32 비트 싱글 비트	40MHz	CSIO, I²C, Linbus, UART/USART	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	88KB (88K X 8)	플래시	-	6k x 8	2.7V ~ 5.5V	A/D 8x12b	내부

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (347)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²