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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS25LP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE 0.3900
RFQ
 ECAD 9208 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP040E-Jnle 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS43DR16128B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-3DBL -
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TW-BGA (10.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 162 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S16160B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TI -
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 ECAD 2567 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43QR16512A-075VBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBLI 19.5230
RFQ
 ECAD 9859 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR16512A-075VBLI 136 1.333 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS42S32800B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS42VM32200M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200M-75BLI 3.2542
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 ECAD 9171 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS61DDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-250M3 -
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 ECAD 5549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB41 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS46LD32640C-18BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32640C-18BLA2-TR 1 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS25LP016D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JNLA3-TR 0.8877
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 ECAD 9958 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP016D-JNLA3-TR 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS61LPD102418A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD102418A-200TQI -
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPD102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61WV102416DBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DBLL-10BLI-TR 11.3550
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 ECAD 7129 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS62WV10248HBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45BLI-TR 3.8489
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 ECAD 9764 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV10248HBLL-45BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
IS42RM32160E-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BL-TR 9.6450
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32160 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS45S16100E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7TLA1-TR -
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 ECAD 9813 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS63LV1024L-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10JLI-TR -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS42S16400D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6TL-TR -
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 ECAD 1291 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43R16800E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TLI 2.5198
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 ECAD 6768 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 12ns
IS61LV256-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256-12TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS61LV256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
IS42RM32400H-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BLI 4.8188
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 ECAD 4933 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32400 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS61NLF51236-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5TQLI-TR -
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 ECAD 4460 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS49RL18320-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-107BLI -
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 ECAD 6900 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL18320 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS43TR16128BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-15HBLI-TR -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61LPD51236A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200TQI -
RFQ
 ECAD 2461 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPD51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR 7.0200
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS61LPS102418B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS62WV12816BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TLI-TR 2.8500
RFQ
 ECAD 593 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS43TR16256AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-125KBLI-TR -
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 ECAD 7527 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS25WP020E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP020E-Jyle-TR 0.3919
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 ECAD 3917 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP020E-Jyle-TR 5,000 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 1.2ms
IS61LPS25636A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQI -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS41LV16105B-60KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60KL-TR -
RFQ
 ECAD 6910 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 30 ns 음주 1m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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