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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력
IS42RM32160E-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BL-TR 9.6450
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32160 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS49RL18320-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-107BLI -
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL18320 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 933 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 10 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS61WV5128BLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10KLI 3.6124
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 19 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS25LX512M-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHLE-TR 7.2900
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 ECAD 1392 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LX512M 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LX512M-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS61VPS51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200B3LI 16.3574
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 ECAD 4114 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25WP032A-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JBLE-TR -
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 ECAD 6757 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42SM32400G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BI-TR -
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 ECAD 2326 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32400 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43LQ32128AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128AL-062TBLI 13.0470
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 ECAD 3660 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32128AL-062TBLI 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 lvstl -
IS42S32200E-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7BLI -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS63LV1024L-12BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12BI-TR -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 36- 미니 바 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS45S16160J-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7CTLA2-TR 5.0808
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS61LV256-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256-12TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS61LV256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 256kbit 12 ns SRAM 32k x 8 평행한 12ns
IS63LV1024L-12BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12BI -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 36- 미니 바 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 220 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS61DDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M18C-250M3L -
RFQ
 ECAD 4152 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB42 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR 15.6750
RFQ
 ECAD 4345 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS46TR16640ED-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-15HBLA1-TR 6.7570
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16640ED-15HBLA1-TR 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
IS42S32800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BLI-TR 8.2050
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 ECAD 9294 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS46TR16640B-15GBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-15GBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 1919 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS25LQ016B-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JMLE -
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS25WJ032F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ032F-JBLE-TR 0.7527
RFQ
 ECAD 4742 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 2V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WJ032F-JBLE-TR 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1.6ms
IS31LT3957A-ZLS4 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3957A-ZLS4 -
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 ECAD 1209 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 범용 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 DC DC 컨트롤러 100kHz ~ 1MHz 16-esssop 다운로드 3 (168 시간) 706-IS31LT3957A-ZLS4 96 - 1 아니요 SEPIC, STEP-DOWN (벅), 스텝 업 (부스트) 75V 아날로그, pwm 5V -
IS42S32400F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7TL-TR 3.7059
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS62C51216AL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C51216AL-55TLI-TR 9.7500
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62C51216 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
IS32LT3170-STLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3170-STLA3-TR -
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 자동차, 조명 표면 표면 SOT-23-6 선의 IS32LT3170 - SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 150ma 1 예 - 42V - 5V 42V
IS42S16160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BLI -
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-LFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S16100C1-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7B-TR -
RFQ
 ECAD 9733 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS43TR16512AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-125KBL -
RFQ
 ECAD 8568 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1461 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS43TR16128A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBL -
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS34ML02G084-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-BLI-TR 4.3621
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34ML02G084-BLI-TR 2,500 비 비 2gbit 20 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR 5.7734
RFQ
 ECAD 6509 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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