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IS43LR32640A-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-6BL-TR 11.3550
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ECAD 6458 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS43LR32640 sdram -ddr 1.7V ~ 1.95V 90-WBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS61WV102416FBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10TLI-TR 9.4500
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ECAD 3200 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS62WV51216HBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 3.8443
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ECAD 6732 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS61NLF51236-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5TQLI-TR -
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ECAD 4460 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS45S16100E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7TLA1-TR -
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ECAD 9813 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S32400B-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7BL -
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ECAD 2332 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR -
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ECAD 7100 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE1M16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 70 ns psram 1m x 16 평행한 70ns
IS49NLC18160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-25BI -
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ECAD 1668 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS43R83200F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL 2.8899
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ECAD 2750 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R83200 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
IS61NLF25636A-7.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636A-7.5B2I -
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ECAD 2783 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-BBGA IS61NLF25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS43TR81280B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125KBL -
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ECAD 4310 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81280 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR81280B-125KBL 귀 99 8542.32.0032 242 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS43R16800E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TLI 2.5198
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ECAD 6768 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 12ns
IS43DR16128B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBLI-TR -
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ECAD 6845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TW-BGA (10.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S16400D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6TL-TR -
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ECAD 1291 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS49RL36160-125BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-125BLI -
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ECAD 5866 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 168-lbga IS49RL36160 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 119 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 12 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS42VM16200D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200D-75BLI-TR 2.3989
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ECAD 7967 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 6 ns 음주 2m x 16 평행한 -
IS42S32800B-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BI-TR -
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ECAD 1691 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS49NLC18160A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-25WBL 27.7833
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ECAD 4109 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC18160A-25WBL 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 HSTL -
IS61LPS102418A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200B3I -
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ECAD 1131 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61NLP102418-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200TQLI -
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ECAD 7574 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42S83200B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TI -
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ECAD 3087 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS61C6416AL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12KLI 2.1754
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ECAD 7825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C6416 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 64k x 16 평행한 12ns
IS61NLP25636A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200TQI-TR -
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ECAD 1153 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS42S16800E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7TL -
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ECAD 5426 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42S32400B-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7BI -
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ECAD 1035 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS42S32800B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL-TR -
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61DDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-250M3 -
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ECAD 5549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB41 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS61LPD102418A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD102418A-200TQI -
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ECAD 6446 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPD102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42VM32200M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200M-75BLI 3.2542
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ECAD 9171 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS43QR16512A-075VBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBLI 19.5230
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ECAD 9859 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR16512A-075VBLI 136 1.333 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고