SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬
IS25WP064A-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-RMLE-TY 1.5641
RFQ
ECAD 5600 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP064A-RMLE-TY 176 133 MHz 비 비 64mbit 7 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS42S83200D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-75ETLI-TR -
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS43R16320E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TLI 7.0644
RFQ
ECAD 4916 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS61LPD51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3I -
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPD51236 sram-쿼드-, 동기 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61NLP51236-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250B3 -
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S16100C1-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TLI -
RFQ
ECAD 8177 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS25LQ080B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JKLE -
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LQ080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1330 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS43QR81024A-083TBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBL 17.6469
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR81024A-083TBL 136 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS43TR16128B-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBLI -
RFQ
ECAD 6579 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16128B-093NBLI 귀 99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43R16160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BLI-TR 5.7450
RFQ
ECAD 9845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS32PM3510-ZLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32PM3510-ZLS4-TR -
RFQ
ECAD 8677 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 트랜지스터 트랜지스터 16-esssop - 3 (168 시간) 706-IS32PM3510-ZLS4-TR 귀 99 8542.39.0001 2,500 스텝 스텝 스텝, 업 다운, 스텝 업/스텝 다운 4.5V ~ 55V 1 벅, 벅, 부스트-부스트 150kHz ~ 650kHz " 긍정적인 1 95.5% 아니요 -
IS43LD16640C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI-TR 10.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS66WVH8M8BLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8BLL-100B1LI 4.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS66WVH8M8 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1466 귀 99 8542.32.0071 480 100MHz 휘발성 휘발성 64mbit 40 ns psram 8m x 8 평행한 40ns
IS62WV2568EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568EBLL-45TLI 2.5287
RFQ
ECAD 8778 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV2568 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 256k x 8 평행한 45ns
IS46DR81280C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-25DBLA2 -
RFQ
ECAD 2884 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 -
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA IS67WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS42S86400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-6TLI-TR 12.3750
RFQ
ECAD 4922 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S86400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
IS64LPS12832EC-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832EC-200TQLA3 10.6794
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LPS12832 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.1 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
IS43R86400D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BLI 8.9966
RFQ
ECAD 3761 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS25WP064D-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-RHLA3 1.8942
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP064D-RHLA3 480 166 MHz 비 비 64mbit 5.5 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS43LR16160F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160F-6BLI -
RFQ
ECAD 3528 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16160 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 300 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS61LV5128AL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10BI -
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS61LV5128 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 36- 미니 바 (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS42S16800E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6TLI -
RFQ
ECAD 4130 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43R86400D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BI -
RFQ
ECAD 1646 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43R86400D-6BI 쓸모없는 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS62WV51216EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45BLI-TR 4.5215
RFQ
ECAD 3419 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV51216 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS61DDB44M18A-300M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB44M18A-300M3I -
RFQ
ECAD 9883 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB44 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS61DDB44M18A-300M3I 쓸모없는 105 300MHz 휘발성 휘발성 72mbit 1.48 ns SRAM 4m x 18 평행한 -
IS61NLF12836EC-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF12836EC-7.5TQLI 7.5262
RFQ
ECAD 6371 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS41LV16257C-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16257C-35TLI-TR -
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비), 40 리드 IS41LV16257 dram -fp 3V ~ 3.6V 40-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 18 ns 음주 256k x 16 평행한 -
IS25CD512-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JKLE-TR -
RFQ
ECAD 8547 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25CD512 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 5ms
IS46LQ32128A-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA2-TR -
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32128A-062BLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 lvstl 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고