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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력
IS46TR16256BL-107MBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA3 -
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16256BL-107MBLA3 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS61DDPB22M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB22M18A-400M3L 71.5551
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDPB22 sram-동기, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
IS43LD32128B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-18BLI-TR 10.9725
RFQ
 ECAD 8636 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LD32128B-18BLI-TR 2,000 533 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS49RL18320A-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093EBL 69.6600
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 ECAD 2779 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL18320A-093EBL 귀 99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 7.5 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS61VPS204836B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-250B3LI 132.7500
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 ECAD 6002 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS204836 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit 2.8 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS46LQ16128A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA1-TR 9.5760
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 ECAD 9412 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128A-062TBLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS45S16320D-7CTLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA2 24.4571
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS62WV102416EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416EBLL-45BLI 10.3200
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS61NLF102418B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418B-7.5TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS46LQ32256AL-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA2 24.8268
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32256AL-062BLA2 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 lvstl 18ns
IS25LP040E-JYLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JYLA3-TR 0.4703
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 ECAD 2227 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP040E-JYLA3-TR 5,000 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 1.2ms
IS61DDB41M36C-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-300M3LI -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB41 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS34ML02G081-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G081-TLI 4.8915
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 ECAD 8375 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34ML02G081-TLI 96 비 비 2gbit 20 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
IS61DDPB24M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB24M18A-400M3L 100.1770
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 ECAD 1062 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDPB24 sram-동기, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 400MHz 휘발성 휘발성 72mbit SRAM 4m x 18 평행한 -
IS46TR16640B-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-107MBLA1-TR -
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 ECAD 9212 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16640B-107MBLA1-TR 귀 99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S83200D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-75ETLI -
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 ECAD 2856 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS43LR32800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800F-6BLI -
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 ECAD 1411 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS43LR32640B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640B-6BLI-TR 9.0573
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 ECAD 7096 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR32640B-6BLI-TR 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS46TR81280B-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25 -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 115 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS46TR81280 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR81280B-125JBLA25 귀 99 8542.32.0032 136 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS32LT3141B-GRLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3141B-GRLA3-TR -
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TA) 자동차, 조명 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 선의 - 8-SOP-EP - 3 (168 시간) 2,500 450ma 1 예 일정한 일정한 40V SPI 4.5V -
IS63LV1024-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12J-TR -
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 ECAD 6685 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS43LD16128B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BL-TR 9.3750
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 ECAD 4030 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS46TR16128C-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-15HBLA1-TR 5.5595
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 ECAD 5368 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS21ES04G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES04G-JCLI-TR -
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 ECAD 5793 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES04 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 EMMC -
IS43R32400E-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BLI 5.1536
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 ECAD 3811 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 189 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 4m x 32 평행한 15ns
IS43TR16256A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBLI -
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 ECAD 1005 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS46LQ16128AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA1 -
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 ECAD 8140 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128AL-062BLA1 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS46TR16128BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-125KBLA1 -
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 ECAD 8796 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61LPD51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3I -
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 ECAD 8437 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPD51236 sram-쿼드-, 동기 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25LP064-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064-JLLE -
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 ECAD 7909 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP064 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1339 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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