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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS43LR32800H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800H-6BLI 5.5951
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR32800H-6BLI 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 LVCMOS 15ns
IS49RL36320-093FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-093FBLI 138.7184
RFQ
 ECAD 4201 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL36320-093FBLI 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1.152gbit 7.5 ns 음주 32m x 36 평행한 -
IS42S32400D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6B-TR -
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS22TF08G-JCLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF08G-JCLA2-TR 17.3565
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (PSLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS22TF08G-JCLA2-TR 2,000 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC_5.1 -
IS62WV102416BLL-25MI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25-MI-TR -
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 1.65V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns SRAM 1m x 16 평행한 25ns
IS34ML02G081-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G081-TLI-TR 4.3745
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34ML02G081-TLI-TR 1,500 비 비 2gbit 20 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
IS62C5128EL-45QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128EL-45QLI-TR 3.2532
RFQ
 ECAD 7568 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62C5128EL-45QLI-TR 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS49NLS96400A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-18WBL 52.0065
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLS96400A-18WBL 104 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 64m x 9 HSTL -
IS61WV20488FBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-10T2LI-TR 9.2060
RFQ
 ECAD 1192 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV20488FBLL-10T2LI-TR 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
IS43TR16256ECL-125LB2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256ECL-125LB2LI -
RFQ
 ECAD 7982 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 96-bga sdram -ddr3l - 96-bga - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI 136 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
IS46DR16320C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-3DBLA2 9.2717
RFQ
 ECAD 4681 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS61LV25616AL-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TL 4.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS25WX064-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX064-JHLE 2.8800
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WX064 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WX064-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS61C1024AL-12JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12JLI-TR 1.8501
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS61C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS61NLP102418B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS25WQ040-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JBLE -
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WQ040 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 1ms
IS43DR16160B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBLI 4.6787
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 ECAD 7836 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 209 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS42S16100F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS46TR16640ED-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA2-TR 8.2688
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16640ED-125KBLA2-TR 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
IS64LPS25636A-166TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS25636A-166TQLA3-TR 20.2500
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS61WV102416EDALL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-12TLI 12.2874
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV102416EDALL-12TLI 96 휘발성 휘발성 16mbit 12 ns SRAM 1m x 16 평행한 12ns
IS43LR16200C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 2m x 16 평행한 12ns
IS43TR16512AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16512AL-107MBLI 귀 99 8542.32.0036 136 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS61LPS12836A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200B3I -
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS61LPS12836A-200B3I 쓸모없는 84 250MHz 휘발성 휘발성 4mbit 2.6 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS64WV51216EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10BLA3 14.9738
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS42S32400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T-TR -
RFQ
 ECAD 4804 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS42S32160F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TL-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42S32200C1-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 90-bga (13x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS46tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS49NLC96400A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25ewbli 54.4856
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC96400A-25ewbli 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 64m x 9 HSTL -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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