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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR 12.9738
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 ECAD 3880 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV10248 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
IS45S16400F-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA2-TR -
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 ECAD 6144 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS62WV5128DALL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55T2LI -
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 ECAD 5024 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS42S32800D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBLI-TR -
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 ECAD 1878 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS25WP016-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JMLE -
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 ECAD 2096 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25WP016 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 연속물 800µs
IS43DR16320C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBL-TR 3.2736
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 ECAD 4512 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS45S32200E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-6BLA1 -
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 ECAD 2270 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS45S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S16400D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6TL -
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 ECAD 1421 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS46LD32320A-3BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BLA2-TR -
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 ECAD 2751 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS46LD32320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS62WV25616BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI -
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 ECAD 6349 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS34ML01G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G084-TLI 5.1000
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 ECAD 791 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ML01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1632 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 1gbit 25 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
IS42S16100F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7TLI-TR -
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 ECAD 5374 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS49NLC18160-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-25WBLI -
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 ECAD 8132 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS43LR16640C-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-5BLI 7.9485
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 ECAD 5319 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR16640C-5BLI 300 208 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 14.4ns
IS29GL128-70DLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70DLET-TR 4.2338
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 ECAD 7545 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 플래시 - 아니오 (SLC) 3V ~ 3.6V 64-LFBGA (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS29GL128-70DLET-TR 2,500 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8 CFI 70ns, 200µs
IS61QDB22M18A-250M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M18A-250M3LI -
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 ECAD 7240 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB22 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS42VS16100C1-10TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10TI -
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 ECAD 9903 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42VS16100 sdram 1.7V ~ 1.9V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 100MHz 휘발성 휘발성 16mbit 7 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S86400F-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-7TLI 16.0200
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 ECAD 83 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S86400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
IS42S16320D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7TLI 17.3200
RFQ
 ECAD 1258 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1269 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS46TR16128CL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA2 7.3035
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 ECAD 9321 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS62WV12816EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EBLL-45BLI 1.6819
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 ECAD 3218 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV12816 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 128k x 16 평행한 45ns
IS25CD025-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD025-Jnle -
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 ECAD 3687 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25CD025 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 100MHz 비 비 256kbit 플래시 32k x 8 SPI 5ms
IS49NLS18160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33B -
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 ECAD 2479 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR 4.0102
RFQ
 ECAD 3699 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA IS66WVC2M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
IS46R16320E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA1 8.5354
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 ECAD 6096 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS43TR16128DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-125KBLI 6.3600
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 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1725 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42S16400D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6TLI-TR -
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 ECAD 6136 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS61LF6436A-8.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF6436A-8.5TQLI-TR 5.4170
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 ECAD 1696 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF6436 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 90MHz 휘발성 휘발성 2mbit 8.5 ns SRAM 64k x 36 평행한 -
IS21ES64G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES64G-JQLI -
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 ECAD 5050 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21ES64 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21ES64G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 EMMC -
IS42S16320B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-WBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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