SIC
close

통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS42S16160G-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BLI-TR 5.1800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43TR16256AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7527 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS46R86400D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R86400D-6BLA1 9.9837
RFQ
 ECAD 8637 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS25WP020E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP020E-Jyle-TR 0.3919
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP020E-Jyle-TR 5,000 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 40µs, 1.2ms
IS61LPS102418B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42VM32200K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-75BLI -
RFQ
 ECAD 9181 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS29GL256-70DLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLET 7.7700
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga IS29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS29GL256-70DLET 3A991B1A 8542.32.0071 260 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 평행한 200µs
IS62WV102416FBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416FBLL-45BLI 10.3200
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS43DR16320D-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBL-TR 2.6025
RFQ
 ECAD 3855 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS29LV032T-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29LV032T-70BLI -
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS29LV032T 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 480 비 비 32mbit 70 ns 플래시 4m x 8, 2m x 16 평행한 70ns
IS46QR81024A-075VBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-075VBLA1-TR 18.3540
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46QR81024A-075VBLA1-TR 2,000 1.333 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS42S16100E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5458 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 9259 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF51218 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
IS62WV12816FBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 1.5491
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 128k x 16 평행한 45ns
IS43TR16640B-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI -
RFQ
 ECAD 7436 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S83200B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-6TL -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS61DDPB21M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB21M18A-400M3L 45.0000
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDPB21 sram-동기, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
IS25WD040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WD040 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-VVSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 80MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 3ms
IS41C16100C-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16100C-50TLI-TR -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비), 44 개의 리드 IS41C16100 드람 -에도 4.5V ~ 5.5V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S32200L-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BL 4.1904
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR 12.9738
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV10248 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 평행한 10ns
IS45S16400F-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6144 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS62WV5128DALL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55T2LI -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS42S32800D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1878 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS25WP016-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JMLE -
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25WP016 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 44 133 MHz 비 비 16mbit 7 ns 플래시 2m x 8 연속물 800µs
IS43DR16320C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBL-TR 3.2736
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS45S32200E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-6BLA1 -
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS45S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S16400D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6TL -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS46LD32320A-3BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS46LD32320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS62WV25616BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI -
RFQ
 ECAD 6349 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다