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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25LP512MG-RMLI | - |  | 4877 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | IS25LP512 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 16- | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS25LP512MG-RMLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | 비 비 | 512mbit | 5.5 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 2ms | |
 | IS42S32160F-6TL | 11.8500 | | 7156 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S32160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | - | ||
 | IS49NLC18160-25B | - | | 7818 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | rldram 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 104 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 16m x 18 | 평행한 | - | ||
 | IS61QDB22M36A-250M3L | 74.4172 | | 7318 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61QDB22 | sram-동기, 쿼드 | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | 1.8 ns | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | ||
 | IS61WV51216EEBLL-10B2LI | 7.3822 | | 2179 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61WV51216 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 16 | 평행한 | 10ns | |||
| IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR | 3.1099 | | 4832 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | psram (의사 sram) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
 | IS42S16100F-6TL-TR | - | | 8712 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S16100 | sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5.5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS61LF102418B-6.5TQLI-TR | 15.0000 | | 9157 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LF102418 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 평행한 | - | ||
 | IS61WV5128BLL-10BI | - | | 5378 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-TFBGA | IS61WV5128 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 10ns | |||
 | IS63LV1024L-10TL | - | | 9545 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS63LV1024 | sram- 비동기 | 3V ~ 3.6V | 32-TSSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 117 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 10 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 10ns | |||
 | IS42S16320D-6BL | 12.9252 | | 3276 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42S16320 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TW-BGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | - | ||
| IS49NLC18160-33BLI | - | | 6646 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | rldram 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 104 | 300MHz | 휘발성 휘발성 | 288mbit | 20 ns | 음주 | 16m x 18 | 평행한 | - | ||
| IS61WV102416EDALL-10TLI | - | | 2383 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | sram- 비동기 | 1.65V ~ 2.2V | 48-tsop i | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS61WV102416EDALL-10TLI | 96 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 평행한 | 10ns | ||||||
 | IS45S16320F-7CTLA1 | 13.3610 | | 3139 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S16320 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS42SM16400M-6BLI | 3.2150 | | 9458 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42SM16400 | sdram- 모바일 | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | ||
| IS61VPS204836B-200TQLI-TR | 109.2000 | | 4174 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61VPS204836 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | 3.1 ns | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | ||
| IS42S32400E-7TL-TR | - | | 9829 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S32400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | ||
 | IS46DR81280B-3DBLA1 | - | | 5182 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS46DR81280 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS46TR16128AL-125KBLA1-TR | - | | 4880 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | sdram -ddr3 | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS43DR16160A-37CBL | - | | 4897 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 209 | 266 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 500 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
| IS61NVF51236-6.5TQL-TR | - | | 4515 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61NVF51236 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
| IS25WX512M-JHLA3-TR | 8.7000 | | 1645 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | IS25WX512M | 플래시 | 1.7V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS25WX512M-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200MHz | 비 비 | 512mbit | 플래시 | 64m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
| IS61NLP12836EC-200TQLI-TR | 6.8099 | | 4914 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61NLP12836 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128k x 36 | 평행한 | - | ||
 | IS62WV2568BLL-70BI | - | | 2582 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-TFBGA | IS62WV2568 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 70 ns | SRAM | 256k x 8 | 평행한 | 70ns | |||
 | IS43LD32320C-25BLI-TR | 9.0000 | | 7423 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-TFBGA | IS43LD32320 | sdram -모바일 lpddr2 -s4 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
| IS66WVQ4M4DBLL-133BLI | 3.4400 | | 358 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | IS66WVQ4M4 | psram (의사 sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS66WVQ4M4DBLL-133BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | psram | 4m x 4 | spi-쿼드 i/o | 37.5ns | ||
| IS61LPS51218B-200TQLI-TR | 11.4000 | | 5949 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LPS51218 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 18 | 평행한 | - | ||
 | IS61QDB22M36A-333B4LI | 74.4172 | | 5979 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61QDB22 | sram-동기, 쿼드 | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | 1.35 ns | SRAM | 2m x 36 | 평행한 | - | ||
 | IS41LV16105B-60KL-TR | - | | 6910 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS41LV16105 | dram -fp | 3V ~ 3.6V | 42-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 30 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | |||
| IS42S16160G-7BLI-TR | 5.1800 | | 11 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42S16160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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