전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25WP032D-JKLE | 1.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | IS25WP032 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 800µs | |||
![]() | IS25LP080D-JNLA3 | 1.1500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IS25LP080 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS25LP080D-JNLA3 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 800µs | ||
![]() | IS22TF64G-JCLA2-TR | 53.0005 | ![]() | 1503 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS22TF64G-JCLA2-TR | 2,000 | 200MHz | 비 비 | 512gbit | 플래시 | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
IS62WV5128BLL-55BI-TR | - | ![]() | 2830 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 55ns | ||||
![]() | IS65WV1288DBLL-45TLA3 | - | ![]() | 7725 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | IS65WV1288 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 32-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 156 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 45 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 45ns | |||
![]() | IS43TR85120A-125KBL | - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr85120 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (9x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 220 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS43LR32200C-6BLI-TR | 3.3227 | ![]() | 7355 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS43LR32200 | sdram- 모바일 lpddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS43LD32320A-3BL-TR | - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 134-TFBGA | IS43LD32320 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 1,200 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 음주 | 32m x 32 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | IS22ES04G-JCLA1 | - | ![]() | 6054 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | IS22ES04 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS22ES04G-JCLA1 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200MHz | 비 비 | 32gbit | 플래시 | 4G X 8 | EMMC | - | ||
IS43DR16640B-3DBLI-TR | 6.3750 | ![]() | 9151 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16640 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | IS42S16400F-5BL-TR | - | ![]() | 1706 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42S16400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS43QR8K02S2A-083TBL | 52.9300 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS43QR8K02S2A-083TBL | 136 | |||||||||||||||||||
![]() | IS43TR81280CL-107MBLI | 3.9237 | ![]() | 5085 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS43TR81280CL-107MBLI | 242 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |||||
![]() | IS62WV25616DBLL-45BI | - | ![]() | 1895 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS62WV25616 | sram- 비동기 | 2.3V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 45 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 45ns | |||
![]() | IS43LR32640A-6BL-TR | 11.3550 | ![]() | 6458 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-LFBGA | IS43LR32640 | sdram -ddr | 1.7V ~ 1.95V | 90-WBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 5 ns | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS43TR81280B-125KBL | - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr81280 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43TR81280B-125KBL | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | |
![]() | IS61WV102416FBLL-10TLI-TR | 9.4500 | ![]() | 3200 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | IS61WV102416 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | IS61NLF25636A-7.5B2I | - | ![]() | 2783 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 119-BBGA | IS61NLF25636 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 7.5 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61LPS51236A-250B3LI | - | ![]() | 2556 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61LPS51236 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | ||
![]() | IS43R16160F-6TLI | 3.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS25LP512MG-RMLE | - | ![]() | 9680 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | IS25LP512 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS25LP512MG-RMLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | 비 비 | 512mbit | 5.5 ns | 플래시 | 64m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 50µs, 1ms | |
![]() | IS43R83200F-6TL | 2.8899 | ![]() | 2750 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R83200 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS46R16320D-5TLA1 | 9.7086 | ![]() | 1635 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS46R16320 | sdram -ddr | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS25LP01GG-RHLE-TR | 9.1105 | ![]() | 6037 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS25LP01GG-RHLE-TR | 2,500 | |||||||||||||||||||
![]() | IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR | 10.1242 | ![]() | 4925 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61WV10248 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | IS66WVC2M16EALL-7010BLI | 3.6544 | ![]() | 9430 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 평행한 | 70ns | |||
![]() | IS46DR16128A-3DBLA1-TR | - | ![]() | 2786 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-LFBGA | IS46DR16128 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-LFBGA (10.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
IS61C25616AL-10TLI | 3.7930 | ![]() | 6165 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61C25616 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | ||||
IS64WV5128EDBLL-10CTLA3 | 7.1841 | ![]() | 2906 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS64WV5128 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 10ns | ||||
IS62WV5128BLL-55T2I-TR | - | ![]() | 2153 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS62WV5128 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 32-TSSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 55ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고