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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 현재 - 채널 / 출력 | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 내부 내부 | 토폴로지 | 전압- 최대 (공급) | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46QR16512A-075VBLA2 | 22.8299 | ![]() | 1656 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | sdram -ddr4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-TWBGA (10x14) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS46QR16512A-075VBLA2 | 136 | 1.333 GHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 18 ns | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS49RL18640-093FBL | 126.1029 | ![]() | 7297 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS49RL18640-093FBL | 119 | 1.066 GHz | 휘발성 휘발성 | 1.152gbit | 7.5 ns | 음주 | 64m x 18 | 평행한 | - | |||||||||||||||
![]() | IS31LT3361-SDLS4-TR | - | ![]() | 1825 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 조명 | 표면 표면 | SOT-89-5/6 | DC DC 레귤레이터 | 1MHz | SOT-89-5 | - | 3 (168 시간) | 2,500 | 1.3a | 1 | 예 | 스텝 스텝 (다운) | 40V | PWM | 6V | - | |||||||||||||||||
![]() | IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 9.2060 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS61WV20488FBLL-8TLI-TR | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 8 ns | SRAM | 2m x 8 | 평행한 | 8ns | |||||||||||||||||
![]() | IS42SM32400H-75BI-TR | - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42SM32400 | sdram- 모바일 | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 6 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS43DR82560B-25EBL-TR | - | ![]() | 2644 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43DR82560 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (10.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 PS | 음주 | 256m x 8 | 평행한 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 12.6597 | ![]() | 1555 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3 | 135 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 16 | 평행한 | 10ns | |||||||||||||||||
![]() | IS42S16800E-75EBL | - | ![]() | 3183 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42S16800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS46TR16640BL-107MBLA1 | - | ![]() | 8642 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS46TR16640BL-107MBLA1 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS61WV25616EFBLL-10BLI | 2.3678 | ![]() | 1047 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS61WV25616EFBLL-10BLI | 480 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | |||||||||||||||||
IS64C6416AL-15TLA3-TR | 3.5570 | ![]() | 3215 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS64C6416 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 평행한 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS45S32800J-7BLA1 | 8.2443 | ![]() | 7987 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS45S32800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S83200G-7BL | 5.9717 | ![]() | 5662 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42S83200 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16512S1DL-125KBL | - | ![]() | 9270 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-LFBGA | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-LWBGA (9x13) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS43TR16512S1DL-125KBL | 190 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 8gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS22TF32G-JCLA2 | 39.0014 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS22TF32G-JCLA2 | 152 | 200MHz | 비 비 | 256gbit | 플래시 | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
![]() | IS43R32400E-4BL | - | ![]() | 8444 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-LFBGA | IS43R32400 | sdram -ddr | 2.4V ~ 2.6V | 144-LFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 189 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 700 PS | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | 16ns | |||||||||||||
![]() | IS64WV25616EFBLL-10BLA3 | 7.1635 | ![]() | 9091 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3 | 480 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | |||||||||||||||||
![]() | IS61LF51236B-7.5TQLI-TR | 13.9821 | ![]() | 1527 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LF51236 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS46LQ32640A-062BLA1 | - | ![]() | 4861 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 200-WFBGA | sdram- 모바일 lpddr4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS46LQ32640A-062BLA1 | 136 | 1.6GHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 3.5 ns | 음주 | 64m x 32 | lvstl | 18ns | ||||||||||||||||
IS25CD010-JDLE-TR | - | ![]() | 9173 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | IS25CD010 | 플래시 | 2.7V ~ 3.6V | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 3,500 | 100MHz | 비 비 | 1mbit | 플래시 | 128k x 8 | SPI | 5ms | |||||||||||||||
![]() | IS25LD020-JKLE-TR | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | IS25LD020 | 플래시 | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | SPI | 5ms | ||||||||||||||
![]() | IS25WD040-JBLE-TR | - | ![]() | 7799 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | IS25WD040 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 80MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | SPI | 3ms | ||||||||||||||
![]() | IS43R16320E-6BLI-TR | 6.8400 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS61LF51236B-7.5B3LI-TR | 15.6750 | ![]() | 7418 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61LF51236 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS45S32400F-7BLA2-TR | 7.8000 | ![]() | 2488 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS45S32400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS43DR16128A-3DBLI | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-LFBGA | IS43DR16128 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-LFBGA (10.5x13.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 162 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |||||||||||||
IS64WV25616BLL-10CTLA3 | 8.4950 | ![]() | 2970 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS64WV25616 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS25WP016-JLLE-TR | - | ![]() | 4529 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | IS25WP016 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 7 ns | 플래시 | 2m x 8 | 연속물 | 800µs | |||||||||||||
![]() | IS61NLP51218B-200TQLI | 13.7940 | ![]() | 5585 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61NLP51218 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 18 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS42SM16160E-75BLI-TR | - | ![]() | 8736 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42SM16160 | sdram- 모바일 | 2.7V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 6 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - |
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