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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력
IS46LQ32128AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32128AL-062BLA1 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 lvstl 18ns
IS43QR81024A-083TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBLI 19.4204
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43QR81024A-083TBLI 136 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS62WV102416FALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416Fall-55bli-Tr 7.5411
RFQ
 ECAD 9908 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV102416Fall-55BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
IS46TR16256BL-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA2-TR 9.4403
RFQ
 ECAD 8733 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16256BL-107MBLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS25WX512M-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX512M-JHLA3 8.7000
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WX512M 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WX512M-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS61VPS25618A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25618A-200B3I -
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS25618 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS46QR16512A-075VBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-075VBLA1 21.4870
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 ECAD 7873 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46QR16512A-075VBLA1 136 1.333 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS42RM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160K-75BLI 5.6950
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 ECAD 6076 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42RM16160 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS25LQ010A-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010A-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25LQ010 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-tssop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 80MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 400µs
IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR 3.8878
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS64WV6416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
IS46R16160F-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6BLA2-TR 5.7150
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43TR85120BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-107MBL -
RFQ
 ECAD 6621 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR85120BL-107MBL 귀 99 8542.32.0036 220 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS43QR16256A-093PBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBLI -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43QR16256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1475 귀 99 8542.32.0036 50 1.05GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
IS43LR16640C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BL 7.5798
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 ECAD 2636 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR16640C-6BL 300 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS46LQ32256AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA2-TR 23.4080
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32256AL-062BLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 8gbit 3.5 ns 음주 256m x 32 lvstl 18ns
IS42S16160B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 8953 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S32800D-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75ETL-TR -
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43R86400F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TL 3.3825
RFQ
 ECAD 5058 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43R86400F-6TL 108 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 sstl_2 15ns
IS49NLC36160A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-18WBLI 57.2059
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC36160A-18WBLI 104 533 MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 16m x 36 HSTL -
IS42SM32200K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200K-75BLI -
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32200 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 6 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS43TR85120BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-107MBLI-TR -
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR85120BL-107MBLI-TR 귀 99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3983 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 64m x 32 lvstl 18ns
IS31FL3747-QFLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3747-QFLS4-TR -
RFQ
 ECAD 8574 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 범용 표면 표면 40-wfqfn q 패드 선의 - 40-QFN (5x5) 다운로드 3 (168 시간) 2,500 48.7ma 12 아니요 - 5.5V 멀티 멀티, pwm, spi 2.7V -
IS46TR16640BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA1-TR -
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 ECAD 5778 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16640BL-125KBLA1-TR 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43DR81280C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBL-TR 3.0653
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43DR81280C-3DBL-TR 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 SSTL_18 15ns
IS42S16800F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TLI-TR 2.3547
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 ECAD 6495 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS46QR16512A-075VBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-075VBLA2 22.8299
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 ECAD 1656 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46QR16512A-075VBLA2 136 1.333 GHz 휘발성 휘발성 8gbit 18 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS49RL18640-093FBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18640-093FBL 126.1029
RFQ
 ECAD 7297 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL18640-093FBL 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 1.152gbit 7.5 ns 음주 64m x 18 평행한 -
IS31LT3361-SDLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3361-SDLS4-TR -
RFQ
 ECAD 1825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 조명 표면 표면 SOT-89-5/6 DC DC 레귤레이터 1MHz SOT-89-5 - 3 (168 시간) 2,500 1.3a 1 예 스텝 스텝 (다운) 40V PWM 6V -
IS61WV20488FBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-8TLI-TR 9.2060
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV20488FBLL-8TLI-TR 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 8 ns SRAM 2m x 8 평행한 8ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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