전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LQ080-JNLE | - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IS25LQ080 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 비 비 | 8mbit | 플래시 | 1m x 8 | spi-쿼드 i/o | 1ms | |||
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR | 2.8952 | ![]() | 7390 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61WV25616 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | ||||
![]() | IS45S16100H-7BLA2 | 3.6124 | ![]() | 7292 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS45S16100 | sdram | 3V ~ 3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5.5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61LP6432A-133TQ-TR | - | ![]() | 1161 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LP6436 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.6V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 4 ns | SRAM | 64k x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS42S32200L-5TL | 3.3234 | ![]() | 8405 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S32200 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 108 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 4.8 ns | 음주 | 2m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS43TR16128DL-107MBLI-TR | 4.8164 | ![]() | 2666 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16128 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43TR16128DL-107MBLI-TR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |
![]() | IS43R86400E-5TLI | - | ![]() | 9204 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS25LQ016B-JNLE-TR | - | ![]() | 8919 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IS25LQ016 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 비 비 | 16mbit | 플래시 | 2m x 8 | spi-쿼드 i/o | 1ms | |||
![]() | IS62WV10248BLL-55BI | - | ![]() | 1863 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS62WV10248 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 48- 바 미니 (7.2x8.7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 312 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 8 | 평행한 | 55ns | |||
![]() | IS43TR16640B-15GBL | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS43tr16640 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 64m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS45S16100C1-7BLA1-TR | - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS45S16100 | sdram | 3V ~ 3.6V | 60- 미니 바 (6.4x10.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5.5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3.4400 | ![]() | 480 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | IS66WVQ4M4 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | psram | 4m x 4 | spi-쿼드 i/o | 40ns | ||
![]() | IS42S16100C1-7BL | - | ![]() | 5301 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS42S16100 | sdram | 3V ~ 3.6V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 5.5 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR | 5.2500 | ![]() | 2703 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS64WV12816 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 10 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 10ns | |||
![]() | IS41C16105C-50KLI | - | ![]() | 6552 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS41C16105 | dram -fp | 4.5V ~ 5.5V | 42-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 16 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 25 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | |||
![]() | IS43R16320F-5TLI | 5.8923 | ![]() | 2955 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS61LPS102418A-250B3-TR | - | ![]() | 7970 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61LPS102418 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 18 | 평행한 | - | ||
IS43DR16320C-25DBLI | 6.5170 | ![]() | 7724 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16320 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 400 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | IS42S32160B-7TLI | - | ![]() | 2000 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S32160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS21TF16G-JCLI | 33.7200 | ![]() | 107 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | IS21TF16G | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS21TF16G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200MHz | 비 비 | 128gbit | 플래시 | 16g x 8 | MMC | - | ||
![]() | IS43TR85120A-15HBL-TR | 5.8612 | ![]() | 6065 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr85120 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (9x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS43TR81280BL-107MBL | - | ![]() | 8146 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr81280 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 20 ns | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
![]() | IS62WV5128EBLL-45BI | - | ![]() | 8259 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 36-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 평행한 | 45ns | ||||
![]() | IS43LD16128B-18BLI-TR | 10.8150 | ![]() | 3120 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 134-TFBGA | IS43LD16128 | sdram -모바일 lpddr2 -s4 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |||
![]() | IS42S16800F-7BI | - | ![]() | 9813 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42S16800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61WV204816BLL-10BLI | 24.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS61WV204816 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1542 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 10 ns | SRAM | 2m x 16 | 평행한 | 10ns | ||
![]() | IS61VVF409618B-7.5TQL-TR | 125.3000 | ![]() | 3230 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61VVF409618 | sram-동기, sdr | 1.71V ~ 1.89V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | 7.5 ns | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | IS61NVP102418-250B3I | - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-TBGA | IS61NVP102418 | sram-동기, sdr | 2.375V ~ 2.625V | 165-TFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 18 | 평행한 | - | ||
![]() | IS42S32160F-75ETL | 12.0885 | ![]() | 9555 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S32160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 6 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | - | ||
![]() | IS42S16320B-7TL-TR | - | ![]() | 5583 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S16320 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고