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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS25WP032D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLE-TR 0.8952
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42S16320B-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETLI -
RFQ
 ECAD 9146 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS34ML01G081-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-TLI 5.1000
RFQ
 ECAD 549 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ML01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1630 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 1gbit 25 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE 0.8200
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 ECAD 14 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1580 귀 99 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61VPS102418B-250TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418B-250TQL-TR 14.7000
RFQ
 ECAD 7303 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS102418 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61LPS25618EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618EC-200TQLI-TR 6.8099
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS43LD16128B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BLI 11.0516
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 ECAD 3175 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 171 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS42SM32400G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BLI-TR -
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 ECAD 1954 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32400 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS63LV1024L-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5624 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 32-TSSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS42S16800D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETLI-TR -
RFQ
 ECAD 9624 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6.5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43LR16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200D-6BLI-TR 2.7335
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 2m x 16 평행한 15ns
IS42S16160J-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BL 3.5400
RFQ
 ECAD 157 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S16320D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BL-TR 12.7950
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS61WV51216EEBLL-10T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10T2LI 7.7828
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS42S32160F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BL 11.6311
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42S32160A-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BL-TR -
RFQ
 ECAD 3351 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS43DR16160A-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBI-TR -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43LR32160B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160B-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 6023 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 12ns
IS62WV25616EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI 4.4684
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS42S32800D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7BLI -
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61VPS102436B-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250TQLI-TR 87.8500
RFQ
 ECAD 6611 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS102436 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 2.8 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-TR -
RFQ
 ECAD 4415 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43DR81280C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBI-TR -
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS66WVE4M16ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ALL-70BLI -
RFQ
 ECAD 1562 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS62WV5128EBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI-TR -
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS45S16800F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7BLA1-TR 4.4911
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42S32200L-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BI -
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S16400D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 60- 미니 바 (6.4x10.1) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS42S16160G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TLI 7.5262
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS37SML01G1-LLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS37SML01G1-LLI 4.0752
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 ECAD 9803 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS37SML01 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 1gbit 8 ns 플래시 128m x 8 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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