SIC
close

통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS43R16160F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5TLI 3.0344
RFQ
 ECAD 2438 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS45S16800E-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9657 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61VPD102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 3106 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPD102418 sram-쿼드-, 동기 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61VPS51236A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 5568 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43R16320E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5TLI-TR 6.6681
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42SM16800G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-75BI-TR -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16800 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS25LP256D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RMLE-TR 3.7624
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25LP256 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 비 비 256mbit 7 ns 플래시 32m x 8 연속물 800µs
IS61QDPB42M18A-400M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M18A-400M3I -
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BLI -
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 171 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS63WV1288DBLL-10HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10HLI 1.8062
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS63WV1288 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS42SM32800E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800E-75BLI -
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32800 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43LD16128B-18BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BL-TR 9.8250
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS41C16105C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50KLI-TR -
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41C16105 dram -fp 4.5V ~ 5.5V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S32160F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BL 11.6311
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42SM32400G-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1954 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32400 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS61QDPB42M36A2-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500B4L 111.7063
RFQ
 ECAD 3951 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS61LPS12836EC-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200B3LI 8.3815
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS42S16320D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BL-TR 12.7950
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS42S16160D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETLI -
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S32160C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-6BLI -
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-WBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS46LR32160B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160B-6BLA2 -
RFQ
 ECAD 7462 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS46LR32160 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 16m x 32 평행한 12ns
IS61LV12824-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10BI -
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-bga IS61LV12824 sram- 비동기 2.97V ~ 3.63V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS61LV12824-10BI 쓸모없는 84 휘발성 휘발성 3m 비트 10 ns SRAM 128k x 24 평행한 10ns
IS43LR16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200D-6BLI-TR 2.7335
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 2m x 16 평행한 15ns
IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE 0.8200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1580 귀 99 8542.32.0071 100 133 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS41LV16100B-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TLI -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16100 드람 -에도 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S16100H-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6TL 1.1212
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 117 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS34ML04G081-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G081-TLI-TR 8.4321
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ML04 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 4gbit 25 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns
IS43R32800D-5BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5BI-TR -
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WV1M16 psram (의사 sram) 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns psram 1m x 16 평행한 55ns
IS43TR16512A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBL -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1459 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
Enter를 누르십시오. 검색 또는 ESC를 닫으십시오