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IS25WP128F-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JBLE 2.0364
RFQ
ECAD 9863 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS25LQ010B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JDE -
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25LQ010 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 1mbit 플래시 128k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS43LR32320B-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-5BL-TR -
RFQ
ECAD 5458 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS43LR32320 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS61WV2568EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10BLI 4.5984
RFQ
ECAD 1465 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS61WV2568 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
IS42S86400F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-6TL 11.8500
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S86400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
IS42S86400B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TL -
RFQ
ECAD 1688 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S86400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 64m x 8 평행한 -
IS42S16400D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BL-TR -
RFQ
ECAD 2162 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 60- 미니 바 (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43DR16128C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-25DBL 8.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1566 귀 99 8542.32.0036 209 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 400 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS25LP020E-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLA3-TR 0.4537
RFQ
ECAD 1090 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP020E-JNLA3-TR 3,000
IS62WV25616EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BLI-TR 2.6189
RFQ
ECAD 5196 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV25616 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS41C16100C-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16100C-50TLI -
RFQ
ECAD 1478 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비), 44 개의 리드 IS41C16100 드람 -에도 4.5V ~ 5.5V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61NLP102418-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3 -
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ECAD 2356 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61LP6432A-133TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6432A-133TQ-TR -
RFQ
ECAD 1161 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LP6436 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit 4 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
IS43LD32320D-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320D-18BLI 9.5600
RFQ
ECAD 2811 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LD32320D-18BLI 171
IS61NLP25672-200B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1LI -
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 209-bga IS61NLP25672 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 256k x 72 평행한 -
IS43R86400E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TLI -
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ECAD 9204 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS25LQ016B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JNLE-TR -
RFQ
ECAD 8919 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS45S16100H-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7BLA2 3.6124
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ECAD 7292 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS45S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 286 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S32200L-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-5TL 3.3234
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ECAD 8405 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 4.8 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42RM16800G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800G-75BLI -
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42RM16800 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LQ020B-JULET 귀 99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS31BL3556-ZLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31BL3556-ZLS4-TR -
RFQ
ECAD 3029 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 IS31BL3556 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR 10.0200
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ECAD 5240 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV102416 sram-이중-, 비동기 2.4V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS61NVP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200TQLI 17.2425
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ECAD 3182 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NVP51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S16100H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BL-TR 1.3591
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S16160G-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TL 3.7208
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ECAD 6720 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S16400J-7B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7B2LI 2.9583
RFQ
ECAD 3399 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 286 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS62WV10248EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248EBLL-45BLI-TR 4.5215
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV10248 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
IS42S16160B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7T -
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ECAD 6643 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS45S16100E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7TLA1 -
RFQ
ECAD 3819 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고