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IS66WV51216EBLL-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70TLI 2.4473
RFQ
ECAD 5649 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS66WV51216 psram (의사 sram) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns psram 512k x 16 평행한 70ns
IS61LF51236A-6.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B2I -
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ECAD 1764 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-BBGA IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS62WV10248HBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45TLI 5.3900
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV10248HBLL-45TLI 135 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
IS46TR16128AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-125KBLA1 -
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ECAD 7204 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61LPS204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204836B-166TQLI-TR 98.0000
RFQ
ECAD 8608 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS204836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3.8 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS45S16100E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7BLA1 -
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ECAD 2165 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS45S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 286 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBL 3.6400
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ECAD 868 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1558 귀 99 8542.32.0028 242 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS61QDPB41M36A1-400B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A1-400B4LI 75.0000
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ECAD 2677 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61QDPB41 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS25LD020-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD020-JDLE-TR -
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ECAD 4938 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25LD020 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 100MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 5ms
IS43LQ32128A-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128A-062BLI -
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ECAD 7499 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA IS43LQ32128 sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LQ32128A-062BLI 귀 99 8542.32.0036 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
IS42S16400F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7BLI -
RFQ
ECAD 6024 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS46TR16256A-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-15HBLA1-TR -
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ECAD 9290 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS45S16400J-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6TLA2 -
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ECAD 8961 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS61QDB42M18C-333M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-333M3I -
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ECAD 9825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB42 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS42S32160D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BL-TR 13.3800
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ECAD 1964 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 - 확인되지 확인되지
IS61C5128AS-25QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25QLI 4.5000
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ECAD 999 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) IS61C5128 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 휘발성 휘발성 4mbit 25 ns SRAM 512k x 8 평행한 25ns
IS66WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55BLI -
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ECAD 1690 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WV51216 psram (의사 sram) 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 312 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns psram 512k x 16 평행한 55ns
IS43R86400D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BL 8.4157
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ECAD 9724 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS43DR16640C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBI-TR -
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ECAD 7425 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43R86400D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BL 8.0052
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ECAD 1482 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS61QDPB21M36A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB21M36A-333M3L 71.5551
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ECAD 6756 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB21 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR 4.7956
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ECAD 2718 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 256k x 16 평행한 8ns
IS25WP064A-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JLLE-TR 1.4197
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ECAD 5687 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP064 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61QDPB22M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB22M18A-333M3L 71.5551
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ECAD 8467 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB22 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS43R16320F-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5BLI 6.2946
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ECAD 8318 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS43TR16128B-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-107MBLI-TR -
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ECAD 8529 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,500 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 195 PS 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS46DR16160B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-25DBLA1-TR 5.2523
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ECAD 1626 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 400 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43LD16640A-3BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BL -
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ECAD 3028 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 171 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS46TR16640A-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-125JBLA2 -
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ECAD 4792 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S32400F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BLI 6.4030
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ECAD 7691 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고