SIC
close

통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력
IS25LX512M-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHLE 7.3874
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LX512M 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LX512M-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS42VM16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800G-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 9058 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16800 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS21ES32G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JCLI -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES32 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21ES32G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC -
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI 5.1550
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1719 귀 99 8542.32.0036 190 933 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS25WP016D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JKLE-TR 0.8067
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP016 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42VM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI 6.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1313 귀 99 8542.32.0024 348 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS21TF128G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF128G-JCLI 66.7335
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS21TF128G-JCLI 152 200MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS42SM16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16200D-6BLI-TR 2.2004
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16200 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 2m x 16 평행한 -
IS25WP016D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JNLE-TR 0.7337
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WP016 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61VPS51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 4225 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61DDB21M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18C-250M3L 23.2925
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
IS46TR16256A-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-15HBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 9203 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS61WV5128FBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128FBLL-10BLI-TR 2.9427
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV5128FBLL-10BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS61NLF102418-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-7.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 3795 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS31LT3173-GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3173-GRLS2-TR -
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 조명 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 선의 IS31LT3173 - 8-SOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 200ma 1 예 - 5.5V PWM 2.5V 42V
IS25WP032D-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-RMLE -
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1646 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 비 비 32mbit 8 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43TR16512AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBL -
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16512AL-107MBL 귀 99 8542.32.0036 136 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS43R32400E-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BLI-TR 4.6718
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 4m x 32 평행한 15ns
IS25WP032D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLE 1.2500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61WV102416EDALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-10BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV102416EDALL-10BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS43TR16128BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61DDB21M36C-300M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36C-300M3 -
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 300MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS46DR16320D-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1 6.4315
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62WV51216ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216ALL-70BLI 7.1992
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV51216 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48- 바 미니 (7.2x8.7) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 312 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns SRAM 512k x 16 평행한 70ns
IS43R16800E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TLI-TR 2.4388
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 15ns
IS22TF32G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF32G-JQLA1-TR 36.4420
RFQ
 ECAD 6223 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS222TF32G-JQLA1-TR 1,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC_5.1 -
IS61LF204836B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF204836B-7.5TQLI-TR 98.0000
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF204836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 7.5 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS43TR16512B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-107MBLI 21.2818
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16512B-107MBLI 136 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS25WP032D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JBLE-TR 0.8952
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS26KS128S-DPBLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KS128S-DPBLI00 7.0300
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA IS26KS128 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS26KS128S-DPBLI00 3A991B2A 8542.32.0071 338 166 MHz 비 비 128mbit 96 ns 플래시 16m x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다