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IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BLI -
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ECAD 6668 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 171 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43TR16256A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBL-TR -
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ECAD 1326 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS42S16320B-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETL-TR -
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ECAD 7257 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBL 3.6400
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ECAD 868 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1558 귀 99 8542.32.0028 242 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS25WP064-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064-JBLE -
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ECAD 3176 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP064 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1442 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 64mbit 7 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42S32400F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BL-TR 4.6129
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ECAD 1205 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS62WV5128EALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55TLI 4.4684
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ECAD 7876 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR 8.5785
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ECAD 7042 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS61WV51216EEBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10BLI 7.3822
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ECAD 1184 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS63LV1024L-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10T -
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ECAD 4521 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 117 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS61NLP25618A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200TQI-TR -
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ECAD 2920 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS21TF64G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF64G-JCLI 70.8800
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ECAD 147 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21TF64G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF64G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 MMC -
IS45S32200L-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7TLA2-TR 4.4516
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ECAD 4715 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR -
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ECAD 2475 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-VFBGA IS67WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 104 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS43R16800E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL-TR 2.1360
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ECAD 6934 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 12ns
IS42S32200L-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7B -
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ECAD 7440 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS46TR16128BL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA2 -
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ECAD 4300 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43R86400E-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TL -
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ECAD 3925 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43R86400E-5TL 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 sstl_2 15ns
IS46LD32128A-25BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2 -
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ECAD 9926 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128A-25BPLA2 쓸모없는 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS49NLS18320-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-25B -
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ECAD 6985 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS43TR82560B-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBLI-TR -
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ECAD 8295 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS61QDPB42M36A2-500B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500B4LI 117.1779
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ECAD 1239 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS61C1024AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12TLI-TR 1.8501
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ECAD 4249 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS64LF25636B-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF25636B-7.5TQLA3-TR 16.1595
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ECAD 3699 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp sram- 표준 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64LF25636B-7.5TQLA3-TR 800 117 MHz 휘발성 휘발성 9mbit 7.5 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS61NLP25672-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1 -
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ECAD 4554 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 209-bga IS61NLP25672 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 84 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 256k x 72 평행한 -
IS49NLC36160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-33BI -
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ECAD 4492 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS43LD32640B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BPLI-TR -
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ECAD 4369 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS43LD32640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS25LQ040B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JDE -
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ECAD 6131 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25LQ040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-tssop - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LQ040B-JDE 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS25LQ025B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JNLE-TR -
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ECAD 7418 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ025 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 256kbit 플래시 32k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS43TR16640C-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-107MBLI-TR 3.3306
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ECAD 1719 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16640C-107MBLI-TR 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고