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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력 sic 프로그램 가능
IS29GL256-70DLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLET-TR 4.8235
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga 플래시 - 아니오 (SLC) 3V ~ 3.6V 64-LFBGA (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS29GL256-70DLET-TR 2,500 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 CFI 70ns, 200µs
IS43R16320E-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5BLI-TR 7.1700
RFQ
 ECAD 1333 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS43TR16640ED-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI 5.8300
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16640ED-15HBLI 190 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 sstl_15 15ns
IS42S32160F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7TL-TR 10.9500
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS25WP064A-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JLLE-TR 1.4197
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP064 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42S16160B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TL -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS61LPD51236A-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3LI-TR 20.1000
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 ECAD 8075 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPD51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43R32800D-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5BI -
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 189 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS61C3216AL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12KLI 2.1754
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 ECAD 3281 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C3216 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 16 휘발성 휘발성 512kbit 12 ns SRAM 32k x 16 평행한 12ns
IS43TR81024BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBL-TR 19.5776
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR81024BL-107MBL-TR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS43R16320F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5BLI-TR 5.5950
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns 확인되지 확인되지
IS34ML01G081-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-BLI-TR 3.4331
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 ECAD 2629 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34ML01G081-BLI-TR 2,500 비 비 1gbit 20 ns 플래시 128m x 8 평행한 25ns
IS61NLF51236-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5TQI-TR -
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 ECAD 8543 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S16160B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS62WV25616BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TLI 4.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS42S16400D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BLI-TR -
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 ECAD 7347 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 60- 미니 바 (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS45S16400F-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA1 -
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 ECAD 1658 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS62WV5128DALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BI -
RFQ
 ECAD 1047 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
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 ECAD 6109 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS46R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS25LQ080-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LQ080 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 8mbit 플래시 1m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS62WV5128EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55BLI-TR -
RFQ
 ECAD 2031 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS43R86400D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BL 8.4157
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS46LQ16256A-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA2-TR 14.1246
RFQ
 ECAD 4878 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16256A-062TBLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 256m x 16 lvstl 18ns
IS21TF16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JCLI 33.7200
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 ECAD 107 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21TF16G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF16G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 MMC -
IS42S32800G-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BI -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR 11.7300
RFQ
 ECAD 6369 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS45S32200E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32200 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS62WV51216ALL-70BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216ALL-70BI-TR -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV51216 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns SRAM 512k x 16 평행한 70ns
IS32FL3726A-ZLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32FL3726A-ZLA3-TR -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 자동차, 조명 표면 표면 24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 선의 - 24-essop - 3 (168 시간) 2,500 60ma 16 예 시프트 시프트 5.5V PWM 3V -
IS31FL3198-QFLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3198-QFLS2-TR 0.8029
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 범용 표면 표면 16-wfqfn q 패드 DC DC 레귤레이터 1MHz 16-QFN (3x3) - 3 (168 시간) 2,500 80ma 3 예 스위치 스위치 (커패시터 펌프) 5.5V 아니요 3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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