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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS42RM32160C-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160C-75BL -
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ECAD 8288 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42RM32160 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-WBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS49NLC18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-25BI -
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ECAD 3776 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS43LR16320C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL-TR 5.9250
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ECAD 3402 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS41LV16256C-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16256C-35TLI -
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ECAD 1422 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비), 40 리드 IS41LV16256 드람 -에도 3V ~ 3.6V 40-tsop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 135 휘발성 휘발성 4mbit 18 ns 음주 256k x 16 평행한 -
IS62WV2568BLL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-55HLI 2.6100
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62WV2568 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-stsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 256k x 8 평행한 55ns
IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR 2.0460
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ECAD 6274 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS62WVS0648 sram-동기, sdr 2.2V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 3,000 20MHz 휘발성 휘발성 512kbit SRAM 64k x 8 spi-쿼드 i/o, sdi, dtr -
IS43LD32128C-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPLI-TR -
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ECAD 1550 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR 귀 99 8542.32.0036 1
IS25WD020-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JVLE-TR -
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ECAD 1358 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WD020 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-VVSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 80MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 3ms
IS22TF128G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1-TR 74.4800
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ECAD 6033 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS22TF128G-JQLA1-TR 1,000 200MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS49NLS18320A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-25ewbli 54.4856
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ECAD 1222 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLS18320A-25ewbli 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 HSTL -
IS64LF12836EC-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12836EC-7.5B3LA3 11.4523
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ECAD 6890 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS64LF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS43DR86400D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI-TR 5.8650
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ECAD 2503 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS21TF08G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JQLI-TR -
RFQ
ECAD 5695 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21TF08G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF08G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
IS42S32160F-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7TLI 15.0000
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ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBLI -
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ECAD 5204 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS34MW01G084-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G084-BLI 3.6500
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ECAD 5673 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34MW01G084-BLI 220 비 비 1gbit 30 ns 플래시 128m x 8 평행한 45ns
IS61QDPB451236A-400M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB451236A-400M3LI 45.0000
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ECAD 5607 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB451236 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR -
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ECAD 5976 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 32mbit 70 ns psram 2m x 16 평행한 70ns
IS21ES08GA-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08GA-JCLI-TR 17.4700
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ECAD 721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC -
IS62WV51216EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI 5.8352
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ECAD 6576 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV51216 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 312 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
IS43DR86400C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBLI 6.8343
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ECAD 4987 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 242 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS61LF12836A-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-6.5TQLI 8.3815
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ECAD 1416 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF12836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 6.5 ns SRAM 128k x 36 평행한 -
IS62WV102416DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416DBLL-45TLI-TR 8.7750
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ECAD 1898 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS61LV25616AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TLI 4.7200
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ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS43R86400D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BL 8.0052
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ECAD 1482 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS43R83200D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TLI-TR 5.5720
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ECAD 6282 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R83200 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
IS46LD32128B-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA2-TR -
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ECAD 6181 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43LD16128B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BLI 11.0516
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ECAD 3175 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 171 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS25LQ016B-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JLLE-TR -
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ECAD 2851 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS61VPS51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200B3LI-TR 15.6750
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ECAD 6367 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고