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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력
IS41C16105C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50KLI-TR -
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41C16105 dram -fp 4.5V ~ 5.5V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS42S16320B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6TL -
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS43R86400E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS46TR16640BL-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA1 -
RFQ
 ECAD 1957 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
IS42S32800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6B-TR -
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 ECAD 7302 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61LV2568L-8TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-8TL-TR -
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 ECAD 9160 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV2568 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 2mbit 8 ns SRAM 256k x 8 평행한 8ns
IS25LP016D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JLLE 0.8679
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 ECAD 8108 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP016D-JLLE 귀 99 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS42S16800F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-5TLI-TR 3.9209
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 ECAD 6687 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS62WV5128BLL-55QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55QLI-TR 3.6397
RFQ
 ECAD 5988 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS43TR82560B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 6165 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR82560B-125KBL-TR 귀 99 8542.32.0036 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR 2.3566
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) psram (의사 sram) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR 3,000 104 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 7 ns psram 4m x 8 SPI, QPI -
IS62WV25616DALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5771 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS61NVF51236-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5B3-TR -
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 ECAD 9019 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NVF51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61LPD51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3I-TR -
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 ECAD 9092 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPD51236 sram-쿼드-, 동기 3.135V ~ 3.465V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25LD040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LD040 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-VVSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 100MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 5ms
IS49NLC18320-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-25B -
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
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 ECAD 6355 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS42S16160B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-LFBGA IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS61QDPB42M36A-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500B4L 111.7063
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB42 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 500MHz 휘발성 휘발성 72mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR 10.5203
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS34ML02G081-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G081-BLI-TR 4.3621
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 ECAD 8907 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34ML02G081-BLI-TR 2,500 비 비 2gbit 20 ns 플래시 256m x 8 평행한 25ns
IS43TR16640BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125KBL-TR -
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 ECAD 1743 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS49NLC96400-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25BLI -
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 ECAD 1412 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC96400 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 64m x 9 평행한 -
IS46LD32128A-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8671 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128A-25BPLA2-TR 쓸모없는 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS29GL256-70DLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLEB 6.9600
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 ECAD 263 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga IS29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS29GL256-70DLEB 3A991B1A 8542.32.0071 260 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 평행한 200µs
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
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 ECAD 6109 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS46R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62WV12816BLL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1855 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS42RM32800D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32800 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43LQ16128A-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128A-062BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ16128A-062BLI-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS31LT3173-GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3173-GRLS2-TR -
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 조명 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 선의 IS31LT3173 - 8-SOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 200ma 1 예 - 5.5V PWM 2.5V 42V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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