SIC
close

통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS46LD32128A-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA1 -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128A-25BPLA1 쓸모없는 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25LQ512B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JVLE -
RFQ
 ECAD 4734 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-VVSOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LQ512B-JVLE 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 512kbit 8 ns 플래시 64k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LQ020B-JULET 귀 99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS25LP020E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLE 0.4000
RFQ
 ECAD 825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP020E-JNLE 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 2mbit 8 ns 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS25LP040E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE-TR 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LP040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS25LP040E-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LP040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP040E-JBLE-TR 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi 1.2ms
IS21TF08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JCLI 20.1600
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21TF08G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF08G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
IS66WVO8M8DBLL-166BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO8M8DBLL-166BLI 4.5800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS66WVO8M8 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVO8M8DBLL-166BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit psram 8m x 8 SPI -OCTAL I/O 36ns
IS66WVQ4M4DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI 3.4400
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS66WVQ4M4 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 200MHz 휘발성 휘발성 16mbit psram 4m x 4 spi-쿼드 i/o 40ns
IS49RL36160A-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160A-093EBL 88.0700
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga IS49RL36160 rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL36160A-093EBL 귀 99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 휘발성 휘발성 576mbit 7.5 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS66WVS4M8ALL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8ALL-104NLI 3.6600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS66WVS4M8 psram (의사 sram) 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 7 ns psram 4m x 8 SPI, QPI -
IS25WJ032F-JTLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ032F-JTLE-TR 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-udfn n 패드 IS25WJ032F 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8- 호스 (4x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 비 비 32mbit 6 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.6ms
IS42S16400E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400E-7TL 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-IS42S16400E-7TL 귀 99 8542.32.0002 1 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 lvttl -
IS25LX256-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-JHLE 5.4500
RFQ
 ECAD 8572 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LX256 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LX256-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS25LX064-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX064-JHLA3-TR 2.2957
RFQ
 ECAD 5169 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25LX064 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LX064-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS25WP032D-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-RMLE-TY 1.1336
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP032D-RMLE-TY 176 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS25WP256D-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JMLE-TY 4.2121
RFQ
 ECAD 9978 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP256D-JMLE-TY 176 133 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS25LP512MH-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MH-RMLE -
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 16- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP512MH-RMLE 쓸모없는 1 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS25WE512M-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE512M-RMLE -
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 16- - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WE512M-RMLE 쓸모없는 1 112 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS25WP512M-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLE -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP512M-RMLE 쓸모없는 1 133 MHz 비 비 512mbit 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 2ms
IS46LD32640C-18BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA2 -
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32640C-18BLA2 1 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS21ES04G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES04G-JQLI -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21ES04 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21ES04G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200MHz 비 비 32gbit 플래시 4G X 8 EMMC -
IS43LD32128A-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPLI -
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS43LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LD32128A-25BPLI 귀 99 8542.32.0036 100 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 15ns
IS26KS512S-DPBLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KS512S-DPBLI00 -
RFQ
 ECAD 7827 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-VBGA IS26KS512 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 24-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS26KS512S-DPBLI00 3A991B1A 8542.32.0071 338 166 MHz 비 비 512mbit 96 ns 플래시 64m x 8 평행한 -
IS43TR81024B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBLI 28.7000
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81024 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR81024B-125KBLI 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS21ES32G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JQLI -
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21ES32 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.3V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21ES32G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC -
IS29GL128-70SLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70SLEB 6.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 56-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS29GL128 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 56-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS29GL128-70SLEB 3A991B1A 8542.32.0071 96 비 비 128mbit 70 ns 플래시 16m x 8 평행한 200µs
IS21ES32G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JCLI -
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES32 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21ES32G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 EMMC -
IS25LP032D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JBLA3 1.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LP032 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP032D-JBLA3 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43TR81024BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBLI 28.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr81024 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR81024BL-125KBLI 귀 99 8542.32.0036 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다