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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 클럭킹 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
IS66WVC4M16EALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16EALL-7010BLI 4.6313
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ECAD 1326 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(TC) 표면 실장 54-VFBGA IS66WVC4M16 PSRAM(의사 SRAM) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 64Mbit 70ns PSRAM 4Mx16 불편한 70ns
IS43TR81280CL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-125JBL-TR 3.2186
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ECAD 6485 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS43TR81280CL-125JBL-TR EAR99 8542.32.0032 2,000 800MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 식사 128M x 8 불편한 15ns
IS46TR16640CL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-125JBLA2-TR 3.8573
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ECAD 3065 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46TR16640CL-125JBLA2-TR EAR99 8542.32.0032 1,500 800MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 식사 64M x 16 불편한 15ns
IS43DR16320E-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL-TR 2.2990
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ECAD 1458 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 85°C (TC) 표면 실장 84-TFBGA SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS43DR16320E-3DBL-TR 2,500 333MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 450ps 식사 32M x 16 SSTL_18 15ns
IS61NLP102418-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3I-TR -
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ECAD 4504 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3.1ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS61NLF12836A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF12836A-7.5TQI -
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ECAD 4211 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61NLF12836 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 117MHz 항체를 제거하세요 4.5Mbit 7.5ns 스램 128K x 36 불편한 -
IS42RM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BLI -
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ECAD 9542 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42RM32800 SDRAM - 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 133MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 식사 8M×32 불편한 -
IS61LV6416-8TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-8TL -
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ECAD 5789 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61LV6416 SRAM - 특별한식 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2B 8542.32.0041 135 항체를 제거하세요 1Mbit 8ns 스램 64K x 16 불편한 8ns
IS43LD32320A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-25BLI-TR -
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ECAD 4114 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM - 모바일 LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA(10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 1,200 400MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 식사 32M x 32 불편한 15ns
IS43LR32100D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL 2.7495
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ECAD 4410 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 240 166MHz 항체를 제거하세요 32Mbit 5.5ns 식사 1M x 32 불편한 15ns
IS61VPS51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200B3I-TR -
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ECAD 5830 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3.1ns 스램 512K x 36 불편한 -
IS61C5128AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AL-10KLI-TR 3.4479
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ECAD 4959 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 36-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) IS61C5128 SRAM - 특별한식 4.5V ~ 5.5V 36-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 512K x 8 불편한 10ns
IS42S32400F-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BI -
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ECAD 9551 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 240 166MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 식사 4M×32 불편한 -
IS49FL004T-33VCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49FL004T-33VCE -
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ECAD 3046 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-TFSOP(0.488", 12.40mm 폭) IS49FL004 플래시 3V ~ 3.6V 32-VSOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 208 33MHz 비껴가 4Mbit 120ns 플래시 512K x 8 불편한 -
IS61LV632A-6TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV632A-6TQI -
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ECAD 2857 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LV632 SRAM - 특별한식 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2B 8542.32.0041 72 항체를 제거하세요 1Mbit 6ns 스램 32K x 32 불편한 -
IS25WP032-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032-JBLE-TR -
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ECAD 8190 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.209", 5.30mm 너비) IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133MHz 비껴가 32Mbit 7ns 플래시 4M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 800μs
IS42VM16800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800G-6BL-TR -
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ECAD 2509 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TFBGA IS42VM16800 SDRAM - 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.5ns 식사 8M×16 불편한 -
IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR 14.1246
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ECAD 3149 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 200-TFBGA SDRAM - 모바일 LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA(10x14.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2-TR 2,500 1.6GHz 항체를 제거하세요 4Gbit 3.5ns 식사 256M x 16 LVSTL 18ns
IS46R16160F-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR 4.9174
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ECAD 9741 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS46R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 200MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 식사 16M×16 불편한 15ns
IS42S32800J-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TL 6.7500
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 식사 8M×32 불편한 -
IS46DR16640B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25DBLA1-TR 8.3100
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ECAD 4733 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 2,500 400MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 400ps 식사 64M x 16 불편한 15ns
IS61QDB22M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M18C-250M3 -
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ECAD 2847 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA IS61QDB22 SRAM - 동기식, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA(15x17) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 항체를 제거하세요 36Mbit 8.4ns 스램 2Mx18 불편한 -
IS61NVP51236-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200B3 -
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ECAD 2690 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-TBGA IS61NVP51236 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3.1ns 스램 512K x 36 불편한 -
IS42S16400J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7BLI 2.0049
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ECAD 2254 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TFBGA(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 348 143MHz 항체를 제거하세요 64Mbit 5.4ns 식사 4Mx16 불편한 -
IS45S16320B-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320B-7BLA1 -
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ECAD 9970 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-WBGA(11x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 144 143MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 식사 32M x 16 불편한 -
IS46TR16128BL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA1-TR -
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ECAD 3363 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 1,500 667MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 식사 128M x 16 불편한 15ns
IS42S16800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-6B-TR -
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ECAD 3335 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-MiniBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.4ns 식사 8M×16 불편한 -
IS61NVP25672-200B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1-TR -
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ECAD 5011 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 209-BGA IS61NVP25672 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA(14x22) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3.1ns 스램 256K x 72 불편한 -
IS46LD32128C-18BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA1 -
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ECAD 5984 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(TC) 표면 실장 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - 모바일 LPDDR2 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA(12x12) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46LD32128C-18BPLA1 EAR99 8542.32.0036 1 533MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 5.5ns 식사 128M x 32 HSUL_12 15ns
IS61NVP102418-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-200TQLI-TR -
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ECAD 9097 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61NVP102418 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3.1ns 스램 1M x 18 불편한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고