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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS62WV25616DBLL-45TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI -
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 ECAD 1700 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS61LV12824-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8BL-TR -
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 ECAD 7073 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga IS61LV12824 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 3m 비트 8 ns SRAM 128k x 24 평행한 8ns
IS42S16400D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TL-TR -
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 ECAD 5396 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS61VPS51236B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-250B3LI 17.0617
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 ECAD 8103 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25WQ020-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JVLE-TR -
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 ECAD 7359 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WQ020 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-VVSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 1ms
IS25LP064D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLA3-TR 1.5948
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 ECAD 9146 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP064D-JBLA3-TR 2,000 166 MHz 비 비 64mbit 6.5 ns 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS46DR81280B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA1 -
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 ECAD 3752 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS42S32800B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL -
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 ECAD 3731 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS42RM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BLI -
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 ECAD 9542 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32800 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS25LQ016B-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JMLE-TR -
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 ECAD 1884 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 비 비 16mbit 플래시 2m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS65LV256AL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65LV256AL-45TLA3-TR 2.7498
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 ECAD 9124 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS65LV256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 256kbit 45 ns SRAM 32k x 8 평행한 45ns
IS42S32160F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TLI 13.0430
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 ECAD 3253 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS61NVP25672-200B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1-TR -
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 ECAD 5011 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 209-bga IS61NVP25672 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 256k x 72 평행한 -
IS62C5128EL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128EL-45QLI 3.5516
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 ECAD 7679 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOP - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62C5128EL-45QLI 84 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS61LPS51218A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51218A-200TQLI 15.4275
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 ECAD 7502 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS51218 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 512k x 18 평행한 -
IS61NVP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-166TQLI-TR -
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 ECAD 4627 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NVP204836 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3.8 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS62WV12816EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-55BLI 2.7843
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 ECAD 5817 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV12816 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 45 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS43LQ32640A-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640A-062BLI -
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 ECAD 5086 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LQ32640A-062BLI 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 64m x 32 lvstl 18ns
IS61NVP51236-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200TQLI -
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 ECAD 7240 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NVP51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61WV102416FBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-8TLI-TR 10.0200
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 ECAD 4794 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram-이중-, 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 8 ns SRAM 1m x 16 평행한 8ns
IS34ML04G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G084-TLI-TR 8.4321
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 ECAD 8452 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS34ML04 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 비 비 4gbit 25 ns 플래시 512m x 8 평행한 25ns
IS43DR16320E-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL-TR 2.2990
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 ECAD 1458 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 84-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43DR16320E-3DBL-TR 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 SSTL_18 15ns
IS43R16160D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TLI-TR 3.5735
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 ECAD 2990 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS46TR16128BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-125KBLA2 -
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 ECAD 5323 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS45S16400F-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-6TLA1-TR -
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 ECAD 1528 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43TR82560C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBL 5.8712
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 ECAD 6958 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS43R16800E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TLI-TR 2.3378
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 ECAD 3767 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 8m x 16 평행한 12ns
IS42S32800J-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BL-TR 5.4750
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 ECAD 7114 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS46LD32320A-3BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BPLA2-TR -
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 ECAD 4982 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS43TR16640BL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBLI-TR -
RFQ
 ECAD 8705 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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