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집적회로(IC)(5782)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	전압 - 공급	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	클럭킹	메모리 종류	메모리 크기	접속시간	메모리 형식	기억 정리	메모리 인터페이스	돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
IS42VM32800E-6BLI	-	보상요청	8084	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	90-TFBGA	IS42VM32800	SDRAM - 모바일	1.7V ~ 1.95V	90-TFBGA(8x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0024	240	166MHz	항체를 제거하세요	256Mbit	5.5ns	음주	8M×32	불편한	-
IS42SM32400G-6BLI-TR	-	보상요청	7862	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	90-TFBGA	IS42SM32400	SDRAM - 모바일	2.7V ~ 3.6V	90-TFBGA(8x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	2,500	166MHz	항체를 제거하세요	128Mbit	5.5ns	음주	4M×32	불편한	-
IS46TR16128BL-125KBLA2	-	보상요청	5323	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 105°C(TC)	표면 실장	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	96-TWBGA(9x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0036	190	800MHz	항체를 제거하세요	2Gbit	20ns	음주	128M x 16	불편한	15ns
IS43LD16160B-25BLI	8.4600	보상요청	35	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(TC)	표면 실장	134-TFBGA	IS43LD16160	SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4	1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V	134-TFBGA(10x11.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	706-IS43LD16160B-25BLI	EAR99	8542.32.0024	171	400MHz	항체를 제거하세요	256Mbit		음주	16M×16	불편한	15ns
IS45S16800F-7CTLA2-TR	6.5768	보상요청	2213	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	IS45S16800	SDRAM	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	1,500	143MHz	항체를 제거하세요	128Mbit	5.4ns	음주	8M×16	불편한	-
IS42VM32200K-75BLI-TR	-	보상요청	4154	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	90-TFBGA	IS42VM32200	SDRAM - 모바일	1.7V ~ 1.95V	90-TFBGA(8x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	2,500	133MHz	항체를 제거하세요	64Mbit	6ns	음주	2M×32	불편한	-
IS61NLP102418-200B3I-TR	-	보상요청	4504	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-TBGA	IS61NLP102418	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.465V	165-TFBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	3.1ns	스램	1M x 18	불편한	-
IS45S16160J-7TLA2-TR	4.6246	보상요청	2815	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	IS45S16160	SDRAM	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0024	1,500	143MHz	항체를 제거하세요	256Mbit	5.4ns	음주	16M×16	불편한	-
IS61LV5128AL-10BI-TR	-	보상요청	7344	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	36-TFBGA	IS61LV5128	SRAM - 특별한식	3.135V ~ 3.6V	36-미니BGA(8x10)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		항체를 제거하세요	4Mbit	10ns	스램	512K x 8	불편한	10ns
IS61WV51216EDALL-20BLI	12.1000	보상요청	9506	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA	IS61WV51216	SRAM - 특별한식	1.65V ~ 2.2V	48-TFBGA(6x8)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	480		항체를 제거하세요	8Mbit	20ns	스램	512K x 16	불편한	20ns
IS21ES64G-JCLI	-	보상요청	3318	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	153-VFBGA	IS21ES64	플래시 - 낸드(MLC)	2.7V ~ 3.6V	153-VFBGA(11.5x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	706-IS21ES64G-JCLI	3A991B1A	8542.32.0071	152	200MHz	비대하다	512Gbit		플래시	64G x 8	eMMC	-
IS61QDPB42M36A2-550B4LI	-	보상요청	1734년	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	165-LBGA	IS61QDPB42	SRAM - 쿼드포트, 동기식	1.71V ~ 1.89V	165-LFBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	105	550MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	2M×36	불편한	-
IS43LD16128B-18BL	10.5339	보상요청	1206	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(TC)	표면 실장	134-TFBGA	IS43LD16128	SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4	1.14V ~ 1.95V	134-TFBGA(10x11.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0036	171	533MHz	항체를 제거하세요	2Gbit		음주	128M x 16	불편한	15ns
IS61DDB24M18A-250M3L	52.5000	보상요청	9573	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	IS61DDB24	SRAM - 동기식, DDR II	1.71V ~ 1.89V	165-LFBGA(15x17)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	105	250MHz	항체를 제거하세요	72Mbit		스램	4M×18	불편한	-
IS43QR85120B-075UBLI-TR	9.8287	보상요청	6290	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 95°C(TC)	표면 실장	78-TFBGA		SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	78-TWBGA(10x14)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)		706-IS43QR85120B-075UBLI-TR			2,000	1.333GHz	항체를 제거하세요	4Gbit	19ns	음주	512M x 8	현물 처리	15ns
IS43DR81280C-25DBLI-TR	5.3550	보상요청	1756년	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	60-TWBGA(8x10.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0032	2,000	400MHz	항체를 제거하세요	1Gbit	400ps	음주	128M x 8	불편한	15ns
IS42S16160D-7BL	-	보상요청	1984년	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V ~ 3.6V	54-TW-BGA(8x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0024	240	143MHz	항체를 제거하세요	256Mbit	5.4ns	음주	16M×16	불편한	-
IS45S16800F-6CTLA1-TR	4.7977	보상요청	7721	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	IS45S16800	SDRAM	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	1,500	166MHz	항체를 제거하세요	128Mbit	5.4ns	음주	8M×16	불편한	-
IS21ES08G-JCLI-TR	-	보상요청	3982	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	153-VFBGA	IS21ES08	플래시 - 낸드(MLC)	2.7V ~ 3.6V	153-VFBGA(11.5x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	200MHz	비대하다	64Gbit		플래시	8G x 8	eMMC	-
IS61NVP51236-250B3	-	보상요청	8736	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-TBGA	IS61NVP51236	SRAM - 동기식, SDR	2.375V ~ 2.625V	165-TFBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	144	250MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	2.6ns	스램	512K x 36	불편한	-
IS42S16100H-6TLI	1.2499	보상요청	6426	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	50-TSOP(0.400", 10.16mm 폭)	IS42S16100	SDRAM	3V ~ 3.6V	50-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0002	117	166MHz	항체를 제거하세요	16Mbit	5.5ns	음주	1M x 16	불편한	-
IS61NLP25672-200B1-TR	-	보상요청	4003	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	209-BGA	IS61NLP25672	SRAM - 동기식, SDR	3.135V ~ 3.465V	209-LFBGA(14x22)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200MHz	항체를 제거하세요	18Mbit	3.1ns	스램	256K x 72	불편한	-
IS43DR16640C-3DBLI	6.4000	보상요청	775	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	84-TWBGA(8x12.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	706-1565	EAR99	8542.32.0032	209	333MHz	항체를 제거하세요	1Gbit	450ps	음주	64M x 16	불편한	15ns
IS61DDB21M18A-300B4L	32.3796	보상요청	9363	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	표면 실장	165-LBGA	IS61DDB21	SRAM - 동기식, DDR II	1.71V ~ 1.89V	165-LFBGA(13x15)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0002	144	300MHz	항체를 제거하세요	18Mbit		스램	1M x 18	불편한	-
IS46DR16160B-3DBLA1	5.6812	보상요청	9275	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	84-TFBGA	IS46DR16160	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	84-TWBGA(8x12.5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0024	209	333MHz	항체를 제거하세요	256Mbit	450ps	음주	16M×16	불편한	15ns
IS25LQ080B-JKLE-TR	-	보상요청	1575년	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 105°C(타)	표면 실장	8-WDFN옆패드	IS25LQ080	플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	8-WSON(6x5)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0071	3,000	104MHz	비대하다	8Mbit		플래시	1M x 8	SPI - 쿼드 I/O	1ms
IS66WVE2M16TCLL-70BLI	3.6544	보상요청	3782	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA	IS66WVE2M16	PSRAM(의사 SRAM)	1.7V ~ 1.95V	48-TFBGA(6x8)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		3A991B2A	8542.32.0041	480		항체를 제거하세요	32Mbit	70ns	PSRAM	2M×16	불편한	70ns
IS42SM32160E-6BLI-TR	-	보상요청	8839	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	90-TFBGA	IS42SM32160	SDRAM - 모바일	3V ~ 3.6V	90-TFBGA(8x13)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0028	2,500	166MHz	항체를 제거하세요	512Mbit	5.5ns	음주	16M x 32	불편한	-
IS41C16105C-50TI	-	보상요청	8876	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	50-TSOP(0.400", 10.16mm 폭), 44 리드	IS41C16105	DRAM - FP	4.5V ~ 5.5V	50-TSOP II	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8542.32.0002	117		항체를 제거하세요	16Mbit	25ns	음주	1M x 16	불편한	84ns
IS61WV20488FBLL-8BLI	9.7363	보상요청	1191	ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	48-TFBGA		SRAM - 특별한식	2.4V ~ 3.6V	48-TFBGA(6x8)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)		706-IS61WV20488FBLL-8BLI			480		항체를 제거하세요	16Mbit	8ns	스램	2M x 8	불편한	8ns

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

집적회로(IC)(5782)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²