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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS43R32400E-4B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-4B-TR -
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32400 sdram -ddr 2.4V ~ 2.6V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 250MHz 휘발성 휘발성 128mbit 700 PS 음주 4m x 32 평행한 16ns
IS61WV1288EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV1288EEBLL-10TLI 2.2900
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 ECAD 10 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-Soic (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV1288 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 32-TSSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 117 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS45S16800E-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7BLA2-TR -
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 ECAD 8198 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS25WP256D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JLLE 5.0200
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 ECAD 9 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP256 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS43DR16320C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI 6.2262
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 ECAD 2222 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS25WD020-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JKLE-TR -
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 ECAD 8264 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WD020 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 80MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 3ms
IS45S16160G-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA1 5.8571
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 ECAD 3614 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42S16800E-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75EBLI-TR -
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 ECAD 4825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61LPS102418A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200B3-TR -
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 ECAD 9012 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61WV20488FBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-10TLI 9.5453
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 ECAD 2881 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV20488FBLL-10TLI 135 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 평행한 10ns
IS63LV1024L-10HL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10HL -
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 ECAD 2494 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-stsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS45S16400F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA1-TR -
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 ECAD 3375 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43DR16160A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBLI-TR -
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 ECAD 9256 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS62WV25616DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TLI-TR -
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 ECAD 8694 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS46DR16320E-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2 5.8923
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 ECAD 2259 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62WV5128BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TLI 3.7027
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 ECAD 6153 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS61VPS102436A-166TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436A-166TQL -
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 ECAD 2999 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS102436 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.5 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS21ES08G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI-TR -
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 ECAD 3982 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC -
IS21ES08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI -
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1641 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC -
IS42S16320F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6BL-TR 10.7700
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 ECAD 8496 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TW-BGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 167 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS61NVF25672-6.5B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1-TR -
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 ECAD 5218 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 209-bga IS61NVF25672 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 256k x 72 평행한 -
IS43R16160D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TLI-TR 3.7555
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 ECAD 2430 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS66WV51216DBLL-70TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70TLI-TR -
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 ECAD 7023 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS66WV51216 psram (의사 sram) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 70 ns psram 512k x 16 평행한 70ns
IS42RM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI 9.2729
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 ECAD 5441 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32800 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS42S32800D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7B-TR -
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 ECAD 7936 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS62WV25616DBLL-45TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI -
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 ECAD 1700 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS61LV12824-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8BL-TR -
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 ECAD 7073 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 119-bga IS61LV12824 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 3m 비트 8 ns SRAM 128k x 24 평행한 8ns
IS42S16400D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 5396 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS61VPS51236B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-250B3LI 17.0617
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 ECAD 8103 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS25WQ020-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WQ020 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-VVSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 1ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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