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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS43TR82560CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBLI 7.0517
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 ECAD 8132 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS66WVE2M16EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16EBLL-55BLI -
RFQ
 ECAD 9294 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 32mbit 55 ns psram 2m x 16 평행한 55ns
IS61NLP51236-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3LI-TR -
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 ECAD 8308 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS66WVQ2M4DBLL-133BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3.0900
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 ECAD 330 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS66WVQ2M4 psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 133 MHz 휘발성 휘발성 8mbit psram 2m x 4 spi-쿼드 i/o 37.5ns
IS43TR16128A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBL-TR -
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 ECAD 2042 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS25LD040-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JNLE -
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 ECAD 2228 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LD040 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 100MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 5ms
IS45S16160J-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7TLA2-TR 4.6246
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 ECAD 2815 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS42SM16200C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16200C-75BLI -
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 ECAD 2528 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16200 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 133 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 6 ns 음주 2m x 16 평행한 -
IS42S16800D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-7TI -
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 ECAD 4208 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS43TR16256A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBLI-TR -
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 ECAD 3798 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS46LQ16128AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA2-TR -
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 ECAD 1942 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128AL-062BLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS43LR16400B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16400B-6BLI-TR -
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 ECAD 2564 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16400 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 4m x 16 평행한 15ns
IS61LPS102418A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200B3 -
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 ECAD 9820 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS46DR16128A-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128A-3DBLA2 -
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 ECAD 9968 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-LFBGA IS46DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-LFBGA (10.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 162 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61DDP2B42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B42M18A-400M3L 71.5551
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 ECAD 2910 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDP2 sram-동기, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 105 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit SRAM 2m x 18 평행한 -
IS21TF32G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF32G-JQLI-TR 36.0000
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 ECAD 7751 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21TF32G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF32G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
IS61LF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5B3 -
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 ECAD 9073 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS42S32200L-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BL-TR 3.7974
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 ECAD 1798 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32200 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS41LV16100B-60KL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60KL -
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 ECAD 2612 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 42-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16100 드람 -에도 3V ~ 3.6V 42-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 16 휘발성 휘발성 16mbit 30 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI 4.2400
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 ECAD 480 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS43TR81024BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBLI-TR 21.5460
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 ECAD 4195 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR81024BL-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS61C632A-6TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-6TQI-TR -
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 ECAD 9849 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61C632 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 800 83MHz 휘발성 휘발성 1mbit 6 ns SRAM 32k x 32 평행한 -
IS62WV25616DALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55BLI-TR -
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 ECAD 5435 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV25616 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 256k x 16 평행한 55ns
IS42S16400D-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7T-TR -
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 ECAD 2234 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS62WV5128DBLL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45QLI -
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 ECAD 9248 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS42S83200G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TLI 7.1841
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 ECAD 8338 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS61NLP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204836B-166TQLI-TR 98.0000
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 ECAD 5233 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP204836 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3.8 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS49NLC36160-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-33BL -
RFQ
 ECAD 8886 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS49NLC18320A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320A-25ewbli 54.4856
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 ECAD 4561 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC18320A-25ewbli 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 HSTL -
IS42RM32400H-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BI -
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 ECAD 5514 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32400 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 6 ns 음주 4m x 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

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    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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