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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 클럭킹 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
IS46TR85120BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA2-TR -
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ECAD 2029 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46TR85120BL-125KBLA2-TR EAR99 8542.32.0036 2,000 800MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 20ns 음주 512M x 8 불편한 15ns
IS43LR16400B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16400B-6BLI -
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ECAD 1855년 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43LR16400 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA(8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 300 166MHz 항체를 제거하세요 64Mbit 5.5ns 음주 4M×16 불편한 15ns
IS45S32400F-7BA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7BA25 -
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ECAD 3413 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS45S32400F-7BA25 더 이상 사용하지 않는 경우 240 143MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.4ns 음주 4M×32 불편한 -
IS25LQ016B-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JMLE-TR -
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ECAD 1884년 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 1,000 104MHz 비대하다 16Mbit 플래시 2M x 8 SPI - 쿼드 I/O 1ms
IS46DR81280B-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA2 -
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ECAD 8538 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 242 400MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 400ps 음주 128M x 8 불편한 15ns
IS66WVS2M8BLL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8BLL-104NLI 3.3300
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ECAD 390 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) IS66WVS2M8 PSRAM(의사 SRAM) 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 104MHz 항체를 제거하세요 16Mbit 7ns PSRAM 2M x 8 SPI, QPI -
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
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ECAD 8538 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS43LR32100C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100C-6BL -
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ECAD 5993 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 240 166MHz 항체를 제거하세요 32Mbit 5.5ns 음주 1M x 32 불편한 12ns
IS61LV12816L-8TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-8TL-TR -
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ECAD 5626 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61LV12816 SRAM - 특별한식 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 2Mbit 8ns 스램 128K x 16 불편한 8ns
IS42VM32800E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800E-75BLI-TR -
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ECAD 1505 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42VM32800 SDRAM - 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 133MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 6ns 음주 8M×32 불편한 -
IS61DDB24M18A-300B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB24M18A-300B4LI 74.4172
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ECAD 4148 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-LBGA IS61DDB24 SRAM - 동기식, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0002 144 300MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 스램 4M×18 불편한 -
IS43R83200D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TL-TR 4.7033
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ECAD 6228 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 66-TSSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,500 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 700ps 음주 32M x 8 불편한 15ns
IS61WV102416DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DBLL-10TLI-TR 10.7100
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ECAD 6683 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) IS61WV102416 SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 48-TSOP I 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 항체를 제거하세요 16Mbit 10ns 스램 1M x 16 불편한 10ns
IS25WX128-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLE-TR 3.1230
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ECAD 8705 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 24-TBGA IS25WX128 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS25WX128-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200MHz 비대하다 128Mbit 플래시 16M x 8 SPI - 8진수 I/O -
IS41LV16256C-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16256C-35TLI-TR -
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ECAD 4330 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭), 40 리드 IS41LV16256 DRAM-에도 3V ~ 3.6V 40-TSOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 1,000 항체를 제거하세요 4Mbit 18ns 음주 256K x 16 불편한 -
IS25LP064D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-RMLE-TR 1.3716
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ECAD 3607 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 플래시 - NOR(SLC) 2.3V ~ 3.6V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS25LP064D-RMLE-TR 1,000 166MHz 비대하다 64Mbit 플래시 8M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 40μs, 800μs
IS25LX128-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX128-JHLA3 3.7731
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ECAD 4997 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 24-TBGA IS25LX128 플래시 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS25LX128-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 133MHz 비대하다 128Mbit 플래시 16M x 8 SPI - 8진수 I/O -
IS42S32800G-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BI -
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ECAD 5951 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 음주 8M×32 불편한 -
IS46TR16512S2DL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512S2DL-125KBLA2 -
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ECAD 2787 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40°C ~ 105°C(TC) 표면 실장 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA2 EAR99 8542.32.0036 136 800MHz 항체를 제거하세요 8Gbit 20ns 음주 512M x 16 불편한 15ns
IS66WVE1M16EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-55BLI -
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ECAD 9991 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM(의사 SRAM) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 16Mbit 55ns PSRAM 1M x 16 불편한 55ns
IS63LV1024L-12JL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12JL-TR -
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ECAD 8175 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 32-BSOJ(0.300", 7.62mm 폭) IS63LV1024 SRAM - 특별한식 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 1Mbit 12ns 스램 128K x 8 불편한 12ns
IS61LPS25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQLI-TR 12.7500
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ECAD 2537 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LPS25636 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 항체를 제거하세요 9Mbit 3.1ns 스램 256K x 36 불편한 -
IS66WVO32M8DBLL-166BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO32M8DBLL-166BLI 10.8500
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ECAD 68 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 24-TBGA IS66WVO32M8 PSRAM(의사 SRAM) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS66WVO32M8DBLL-166BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit PSRAM 32M x 8 SPI - 8진수 I/O 36ns
IS46TR16640B-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125JBLA1 -
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ECAD 9722 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 190 800MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 음주 64M x 16 불편한 15ns
IS45S32400F-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-6BLA2-TR 9.4050
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ECAD 4088 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5.4ns 음주 4M×32 불편한 -
IS43LR32640B-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640B-5BLI 10.0364
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ECAD 3991 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 대부분 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS43LR32640B-5BLI 240 208MHz 항체를 제거하세요 2Gbit 5ns 음주 64M x 32 불편한 15ns
IS42RM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BLI-TR 4.2627
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ECAD 4630 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42RM32400 SDRAM - 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 133MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 6ns 음주 4M×32 불편한 -
IS42S83200B-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TI-TR -
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ECAD 1473 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S83200 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,500 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 32M x 8 불편한 -
IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR 7.1194
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ECAD 3318 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LF12836 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 133MHz 항체를 제거하세요 4.5Mbit 6.5ns 스램 128K x 36 불편한 -
IS43TR16128D-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-093NBLI -
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ECAD 4779 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS43TR16128D-093NBLI EAR99 8542.32.0036 190 1.066GHz 항체를 제거하세요 2Gbit 20ns 음주 128M x 16 불편한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고