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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS42S16800E-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75EBLI-TR -
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 ECAD 4825 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61LPS102418A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200B3-TR -
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 ECAD 9012 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LPS102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS43DR16160A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBLI-TR -
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 ECAD 9256 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43DR16320C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI 6.2262
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 ECAD 2222 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16320 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 209 333 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 450 ps 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS45S16400F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA1-TR -
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 ECAD 3375 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43TR16640B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-107MBL -
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 ECAD 1063 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S32800B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TLI -
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 ECAD 9866 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS61WV25616EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI 6.9500
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 ECAD 459 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 8 ns SRAM 256k x 16 평행한 8ns
IS61VPD102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-200B3I-TR -
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 ECAD 5866 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPD102418 sram-쿼드-, 동기 2.375V ~ 2.625V 165-PBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS43R16320F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TLI-TR 5.3482
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 ECAD 4769 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS63LV1024-8KI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-8KI-TR -
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 ECAD 5264 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3.15V ~ 3.45V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 800 휘발성 휘발성 1mbit 8 ns SRAM 128k x 8 평행한 8ns
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 4.2932
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 ECAD 9029 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA IS66WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS25WD020-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JNLE-TR -
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 ECAD 2259 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WD020 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 80MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 SPI 3ms
IS61LPS25618A-200B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618A-200B2I-TR -
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 ECAD 6044 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 119-BBGA IS61LPS25618 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 119-PBGA (14x22) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200MHz 휘발성 휘발성 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256k x 18 평행한 -
IS43DR16160B-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-37CBLI-TR 3.9938
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 ECAD 8610 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 266 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 500 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS42S32400F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6TL 4.2963
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 ECAD 4896 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS25LQ020B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JBLE-TR -
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 ECAD 3848 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS42S16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BL-TR 2.2334
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 ECAD 5208 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61NLP102418B-200B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200B3L 15.7469
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 ECAD 1601 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS43R16320E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BLI 7.7144
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 ECAD 2486 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42S32800D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6TLI-TR -
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 ECAD 6492 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS49NLC93200-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25WBLI -
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 ECAD 1258 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC93200 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 32m x 9 평행한 -
IS62WV5128BLL-55HI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55HI -
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 ECAD 8909 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 32-stsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS43R86400D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BL-TR 7.5000
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 ECAD 8668 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS42S32800B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7B-TR -
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 ECAD 8739 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS62WV25616DBLL-45TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI-TR -
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 ECAD 8295 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS42S83200J-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7TLI-TR 3.0110
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 ECAD 9676 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS62WV102416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416DBLL-45TLI 11.1800
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 ECAD 9315 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS45S16400F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA2 -
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 ECAD 3416 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS61VPS102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418B-200TQLI 17.2425
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 ECAD 9306 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS102418 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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