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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 현재 - 출력/채널 클럭킹 수 출력 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지 내부 스위치 토폴로지 전압 - 공급(최대) 디밍 전압 - 공급(최소) 전압 - 출력
IS42S83200B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-6TL-TR -
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ECAD 8749 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S83200 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,500 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 32M x 8 불편한 -
IS61DDB251236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB251236A-250M3L 32.3796
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ECAD 8712 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA IS61DDB251236 SRAM - 동기식, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA(15x17) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0002 105 250MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 스램 512K x 36 불편한 -
IS61WV12816BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816BLL-12TLI 3.5221
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ECAD 7891 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61WV12816 SRAM - 특별한식 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 135 항체를 제거하세요 2Mbit 12ns 스램 128K x 16 불편한 12ns
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10TLI-TR 1.6819
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ECAD 7061 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-SOIC(0.400", 10.16mm 폭) IS63WV1288 SRAM - 특별한식 2.4V ~ 3.6V 32-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 1Mbit 10ns 스램 128K x 8 불편한 10ns
IS42S16160B-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7BI-TR -
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ECAD 7312 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 54-LFBGA IS42S16160 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-LFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 2,500 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 음주 16M×16 불편한 -
IS49RL18320-107EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-107EBLI -
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ECAD 4438 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 168-LBGA IS49RL18320 음주 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA(13.5x13.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 119 933MHz 항체를 제거하세요 576Mbit 8ns 음주 32M x 18 불편한 -
IS43TR16640B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-107MBL -
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ECAD 1063 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 190 933MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 음주 64M x 16 불편한 15ns
IS61LPS102418B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200B3LI 16.3574
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ECAD 1593년 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 165-TBGA IS61LPS102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS61NVP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-166TQLI-TR -
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ECAD 4627 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61NVP204836 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 800 166MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 3.8ns 스램 2M×36 불편한 -
IS43LR16160F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160F-6BL -
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ECAD 9034 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA(8x10) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 300 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.5ns 음주 16M×16 불편한 15ns
IS61DDB451236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB451236A-250M3L 32.3796
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ECAD 9104 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-LBGA IS61DDB451236 SRAM - 동기식, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA(15x17) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0002 105 250MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 스램 512K x 36 불편한 -
IS42S32160C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-6BL -
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ECAD 3550 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-WBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 166MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 음주 16M x 32 불편한 -
IS42S32200E-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TLI -
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ECAD 2194 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32200 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 108 143MHz 항체를 제거하세요 64Mbit 5.5ns 음주 2M×32 불편한 -
IS43LR32800G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BL 5.8058
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ECAD 1254 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - 모바일 LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 240 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.5ns 음주 8M×32 불편한 15ns
IS25LP512MG-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RMLE-TY 6.9200
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ECAD 259 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) IS25LP512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS25LP512MG-RMLE-TY 3A991B1A 8542.32.0071 176 166MHz 비대하다 512Mbit 5.5ns 플래시 64M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 50μs, 1ms
IS42S32800B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6TLI -
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ECAD 6889 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 166MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.5ns 음주 8M×32 불편한 -
IS43R16320D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BLI-TR 8.4600
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ECAD 6652 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 음주 32M x 16 불편한 15ns
IS61WV3216BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV3216BLL-12TLI 1.8965
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ECAD 1083 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61WV3216 SRAM - 특별한식 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2B 8542.32.0041 135 항체를 제거하세요 512Kbit 12ns 스램 32K x 16 불편한 12ns
IS61LV5128AL-10TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TI-TR -
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ECAD 6641 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS61LV5128 SRAM - 특별한식 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 512K x 8 불편한 10ns
IS25LP020E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLE-TR 0.4000
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) IS25LP020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-IS25LP020E-JNLE-TR EAR99 8542.32.0071 3,000 104MHz 비대하다 2Mbit 8ns 플래시 256K x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI, DTR 1.2ms
IS43TR85120AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-125KBL-TR -
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ECAD 2557 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA(9x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0036 1,500 800MHz 항체를 제거하세요 4Gbit 20ns 음주 512M x 8 불편한 15ns
IS49NLC36160A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25EWBL 55.4400
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ECAD 2595 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 144-TFBGA IS49NLC36160 RLDRAM 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA(11x18.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 104 400MHz 항체를 제거하세요 576Mbit 15ns 음주 16M×36 불편한 -
IS61VPS204836B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-250B3L 120.7500
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ECAD 5318 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 165-TBGA IS61VPS204836 SRAM - 동기식, SDR 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA(13x15) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 항체를 제거하세요 72Mbit 2.8ns 스램 2M×36 불편한 -
IS46R16320E-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA2 10.0646
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ECAD 9908 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 190 166MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 700ps 음주 32M x 16 불편한 15ns
IS41C16100C-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16100C-50KLI -
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ECAD 4182 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 42-BSOJ(0.400", 10.16mm 폭) IS41C16100 DRAM-에도 4.5V ~ 5.5V 42-SOJ 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 16 항체를 제거하세요 16Mbit 25ns 음주 1M x 16 불편한 -
IS62WV25616EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI-TR 4.0112
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ECAD 1068 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS62WV25616 SRAM - 특별한식 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 항체를 제거하세요 4Mbit 55ns 스램 256K x 16 불편한 55ns
IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR -
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ECAD 3316 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 44-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS65WV25616 SRAM - 특별한식 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 1 항체를 제거하세요 4Mbit 45ns 스램 256K x 16 불편한 45ns
IS32BL3552-ZLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32BL3552-ZLA3 -
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ECAD 9351 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc 자동차, AEC-Q100 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C(타) 자동차, 고무 표면 실장 16-TSSOP(0.173", 4.40mm 가로형 패드) DC DC 컨트롤러 IS32BL3552 520kHz 16-eTSSOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 60 360mA 2 아니요 스텝업(부스트) 33V PWM 4.5V 53V
IS43LQ32128AL-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128AL-062TBLI-TR 11.7306
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ECAD 5703 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 95°C(TC) 표면 실장 200-TFBGA SDRAM - 모바일 LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA(10x14.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) 706-IS43LQ32128AL-062TBLI-TR 2,500 1.6GHz 항체를 제거하세요 4Gbit 음주 128M x 32 LVSTL -
IS62WV5128BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55BI -
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ECAD 7308 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - 특별한식 2.5V ~ 3.6V 36-TFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 4Mbit 55ns 스램 512K x 8 불편한 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고