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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 시계 시계 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS21TF128G-JCLI-TR | 66.2340 |  | 1373 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | 플래시 -Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS21TF128G-JCLI-TR | 2,000 | 200MHz | 비 비 | 1tbit | 플래시 | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS43DR16128C-25DBLI | 14.9100 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16128 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1568 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 209 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 400 ns | 음주 | 128m x 16 | 평행한 | 15ns | |
 | IS62WV51216EBLL-45BLI | 6.5500 | | 10 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | IS62WV51216 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 평행한 | 45ns | |||
 | IS42S32800D-6TLI-TR | - | | 6492 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42S32800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - | ||
 | IS42VS16100C1-10T-TR | - | | 8533 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS42VS16100 | sdram | 1.7V ~ 1.9V | 50-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100MHz | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 7 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS62WV102416DBLL-55TLI | 9.0290 | | 7208 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | IS62WV102416 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 평행한 | 55ns | |||
 | IS45S32800J-6BLA1 | 7.9350 | | 8876 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS45S32800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 32m x 8 | 평행한 | - | ||
 | IS29GL128-70DLEB | 6.8500 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | IS29GL128 | 플래시 - 아니오 | 2.7V ~ 3.6V | 64-LFBGA (9x9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS29GL128-70DLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 비 비 | 128mbit | 70 ns | 플래시 | 16m x 8 | 평행한 | 200µs | ||
 | IS42RM16200C-75BLI-TR | - | | 3122 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42RM16200 | sdram- 모바일 | 2.3V ~ 2.7V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 32mbit | 6 ns | 음주 | 2m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS43LD16256C-18BPLI | - | | 5482 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-VFBGA | IS43LD16256 | sdram- 모바일 lpddr2 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS43LD16256C-18BPLI | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 5.5 ns | 음주 | 256m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
| IS43DR86400E-3DBL-TR | 2.4369 | | 4670 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 60-TFBGA | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS43DR86400E-3DBL-TR | 2,000 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 450 ps | 음주 | 64m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |||||
 | IS46TR85120A-125KBLA2-TR | - | | 1516 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS46TR85120 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (9x10.5) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS46TR85120A-125KBLA2-TR | 귀 99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | |
 | IS61C1024AL-12TI | - | | 1769 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | IS61C1024 | sram- 비동기 | 4.5V ~ 5.5V | 32-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 12 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 12ns | |||
| IS42VM16400K-6BLI-TR | - | | 4034 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42VM16400 | sdram- 모바일 | 1.7V ~ 1.95V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.5 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | ||
 | IS61DDPB44M18A-400M3L | 100.1770 | | 3310 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61DDPB44 | sram-동기, ddr iip | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 72mbit | SRAM | 4m x 18 | 평행한 | - | |||
 | IS66WV51216DBLL-55BLI | - | | 4389 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | IS66WV51216 | psram (의사 sram) | 2.5V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 480 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 55 ns | psram | 512k x 16 | 평행한 | 55ns | |||
| IS42RM32400H-75BI-TR | - | | 9166 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram- 모바일 | 2.3V ~ 2.7V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 6 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | ||
 | IS41LV16105D-50TLI | 5.8702 | | 9172 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 50-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비), 44 개의 리드 | IS41LV16105 | dram -fp | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 117 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 25 ns | 음주 | 1m x 16 | 평행한 | - | |||
 | IS25LQ040B-JKLE | - | | 8673 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | IS25LQ040 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1315 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 비 비 | 4mbit | 플래시 | 512k x 8 | spi-쿼드 i/o | 800µs | ||
 | IS61LV6416-8TL | - | | 5789 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61LV6416 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 8 ns | SRAM | 64k x 16 | 평행한 | 8ns | |||
| IS43TR85120AL-125KBL | - | | 9218 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | 표면 표면 | 78-TFBGA | IS43tr85120 | sdram -ddr3l | 1.283V ~ 1.45V | 78-TWBGA (9x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 220 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 512m x 8 | 평행한 | 15ns | ||
| IS64WV10248BLL-10CTLA3 | 16.3574 | | 8250 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS64WV10248 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 평행한 | 10ns | |||
| IS45S16800E-7BLA1-TR | - | | 6256 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS45S16800 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.4 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | ||
| IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR | 3.9706 | | 8662 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61WV2568 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 8 | 평행한 | 10ns | |||
 | IS43R16320D-6BL | 8.0052 | | 1234 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | ||
 | IS61DDB21M36A-250M3L | - | | 7294 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 165-lbga | IS61DDB21 | SRAM-동기, DDR II | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (13x15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 250MHz | 휘발성 휘발성 | 36mbit | 8.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 평행한 | - | ||
| IS42SM16800H-6BLI-TR | 4.1257 | | 2686 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-TFBGA | IS42SM16800 | sdram- 모바일 | 2.7V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.5 ns | 음주 | 8m x 16 | 평행한 | - | ||
| IS43R16320F-5TL | 3.2303 | | 1430 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS43R16320F-5TL | 108 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | sstl_2 | 15ns | |||||
 | IS42S32160B-75BLI | - | | 2177 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-LFBGA | IS42S32160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 90-LFBGA (13x11) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 5.5 ns | 음주 | 16m x 32 | 평행한 | - | ||
 | IS25LQ025B-JULE | - | | 5346 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-ufdfn 노출 패드 | IS25LQ025 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8- 호스 (2x3) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-IS25LQ025B-JULET | 귀 99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 비 비 | 256kbit | 8 ns | 플래시 | 32k x 8 | spi-쿼드 i/o | 800µs |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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