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통합 통합 (ICS) (5782)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	기술	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	현재 - 채널 / 출력	시계 시계	출력 출력	메모리 메모리	메모리 메모리	액세스 액세스	메모리 메모리	메모리 메모리	메모리 메모리	쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지	내부 내부	토폴로지	전압- 최대 (공급)	디밍	전압- 최소 (공급)	전압 - 출력
IS46R16320E-6BLA2	10.0646	RFQ	9908	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	60-TFBGA		IS46R16320		sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-TFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	190		166 MHz		휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
IS62WV12816BLL-45TLI	3.2692	RFQ	3887	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		IS62WV12816		sram- 비동기	2.5V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	135				휘발성 휘발성	2mbit	55 ns	SRAM	128k x 16	평행한	55ns
IS46DR81280C-25DBLA1-TR	-	RFQ	6296	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)		표면 표면	60-TFBGA		IS46DR81280		sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	60-TWBGA (8x10.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0032	2,000		400MHz		휘발성 휘발성	1gbit	400 PS	음주	128m x 8	평행한	15ns
IS25CD010-JNLE	-	RFQ	2931	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		IS25CD010		플래시	2.7V ~ 3.6V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0071	100		100MHz		비 비	1mbit		플래시	128k x 8	SPI	5ms
IS61VPS204836B-250B3L-TR	112.7000	RFQ	5788	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	165-TBGA		IS61VPS204836		sram-동기, sdr	2.375V ~ 2.625V	165-TFBGA (13x15)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		250MHz		휘발성 휘발성	72mbit	2.8 ns	SRAM	2m x 36	평행한	-
IS42SM16200C-75BLI	-	RFQ	2528	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	54-TFBGA		IS42SM16200		sdram- 모바일	3V ~ 3.6V	54-TFBGA (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	348		133 MHz		휘발성 휘발성	32mbit	6 ns	음주	2m x 16	평행한	-
IS43R16160F-5TL	2.7093	RFQ	5045	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)		IS43R16160		sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	108		200MHz		휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	16m x 16	평행한	15ns
IS43R86400F-6TLI-TR	5.3639	RFQ	2578	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)		IS43R86400		sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	1,500		166 MHz		휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	64m x 8	평행한	15ns
IS64C25616AL-12CTLA3-TR	9.4500	RFQ	1234	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		IS64C25616		sram- 비동기	4.5V ~ 5.5V	44-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1,000				휘발성 휘발성	4mbit	12 ns	SRAM	256k x 16	평행한	12ns
IS43DR16640B-3DBLI	8.9400	RFQ	209	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	84-TFBGA		IS43DR16640		sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-TWBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	706-1277	귀 99	8542.32.0032	209		333 MHz		휘발성 휘발성	1gbit	450 ps	음주	64m x 16	평행한	15ns
IS66WVE4M16ALL-7010BLI	-	RFQ	7214	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFBGA		IS66WVE4M16		psram (의사 sram)	1.7V ~ 1.95V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	480				휘발성 휘발성	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	평행한	70ns
IS42S16800D-7TI	-	RFQ	4208	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		IS42S16800		sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0002	108		143 MHz		휘발성 휘발성	128mbit	5.4 ns	음주	8m x 16	평행한	-
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IS61LF51236A-7.5TQI-TR	-	RFQ	1606	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	100-lqfp		IS61LF51236		sram-동기, sdr	3.135V ~ 3.6V	100-LQFP (14x20)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	800		117 MHz		휘발성 휘발성	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	평행한	-
IS31FL3236-TQLS2	-	RFQ	9065	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	표면 표면	48-tqfp q 패드	선의	IS31FL3236	-			48-etqfp (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	38ma		36								예	-	5.5V	i²c	2.7V	-
IS61NVP102418-200B3-TR	-	RFQ	9886	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	165-TBGA		IS61NVP102418		sram-동기, sdr	2.375V ~ 2.625V	165-TFBGA (13x15)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		200MHz		휘발성 휘발성	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	평행한	-
IS46R16320E-6BLA2-TR	9.4050	RFQ	1570	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	60-TFBGA		IS46R16320		sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	60-TFBGA (8x13)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	2,500		166 MHz		휘발성 휘발성	512mbit	700 PS	음주	32m x 16	평행한	15ns
IS22TF64G-JQLA1-TR	50.4735	RFQ	4208	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	100-lbga				플래시 -Nand (TLC)	2.7V ~ 3.6V	100-LFBGA (14x18)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		706-IS2222TF64G-JQLA1-TR			1,000		200MHz		비 비	512gbit		플래시	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS64WV102416BLL-10MA3	-	RFQ	4062	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	48-TFBGA		IS64WV102416		sram- 비동기	2.4V ~ 3.6V	48- 바 미니 (9x11)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	220				휘발성 휘발성	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	평행한	10ns
IS62WV12816BLL-55BLI	2.2578	RFQ	7862	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFBGA		IS62WV12816		sram- 비동기	2.5V ~ 3.6V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	480				휘발성 휘발성	2mbit	55 ns	SRAM	128k x 16	평행한	55ns
IS49NLC93200-33BI	-	RFQ	7136	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	144-TFBGA		IS49NLC93200		rldram 2	1.7V ~ 1.9V	144-FCBGA (11x18.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0028	104		300MHz		휘발성 휘발성	288mbit	20 ns	음주	32m x 9	평행한	-
IS62WV12816ALL-70BLI	-	RFQ	1377	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFBGA		IS62WV12816		sram- 비동기	1.65V ~ 2.2V	48-TFBGA (6x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	480				휘발성 휘발성	2mbit	70 ns	SRAM	128k x 16	평행한	70ns
IS64LV51216-12TLA3-TR	-	RFQ	2138	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비)		IS64LV51216		sram- 비동기	3.135V ~ 3.6V	44-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	1,000				휘발성 휘발성	8mbit	12 ns	SRAM	512k x 16	평행한	12ns
IS61DDB22M18C-250B4LI	-	RFQ	8582	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	165-lbga		IS61DDB22		SRAM-동기, DDR II	1.71V ~ 1.89V	165-LFBGA (13x15)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B2A	8542.32.0041	144		250MHz		휘발성 휘발성	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	평행한	-
IS61WV102416DALL-12TLI-TR	10.0681	RFQ	7782	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비)				sram- 비동기	1.65V ~ 2.2V	48-tsop i	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)		706-IS61WV102416DALL-12TLI-TR			1,500				휘발성 휘발성	16mbit	12 ns	SRAM	1m x 16	평행한	12ns
IS43DR16128C-25DBLI	14.9100	RFQ	2	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	84-TFBGA		IS43DR16128		sdram -ddr2	1.7V ~ 1.9V	84-TWBGA (8x12.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	706-1568	귀 99	8542.32.0036	209		400MHz		휘발성 휘발성	2gbit	400 ns	음주	128m x 16	평행한	15ns
IS29GL128-70DLEB	6.8500	RFQ	2	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	64-lbga		IS29GL128		플래시 - 아니오	2.7V ~ 3.6V	64-LFBGA (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	706-IS29GL128-70DLEB	3A991B1A	8542.32.0071	260				비 비	128mbit	70 ns	플래시	16m x 8	평행한	200µs
IS25LP512MG-RMLE-TY	6.9200	RFQ	259	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)		IS25LP512		플래시 - 아니오	2.3V ~ 3.6V	16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	706-IS25LP512MG-RMLE-TY	3A991B1A	8542.32.0071	176		166 MHz		비 비	512mbit	5.5 ns	플래시	64m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi, dtr	50µs, 1ms
IS25WP032A-JLLE	-	RFQ	1272	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	8-wdfn n 패드		IS25WP032		플래시 - 아니오	1.65V ~ 1.95V	8-wson (8x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		3A991B1A	8542.32.0071	480		133 MHz		비 비	32mbit		플래시	4m x 8	spi-쿼드 i/o, qpi, dtr	800µs
IS43R83200B-5TL-TR	-	RFQ	8819	ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비)		IS43R83200		sdram -ddr	2.3V ~ 2.7V	66-TSOP II	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.32.0024	1,500		200MHz		휘발성 휘발성	256mbit	700 PS	음주	32m x 8	평행한	15ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

통합 통합 (ICS) (5782)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²