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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 현재 - 채널 / 출력 | 시계 시계 | 출력 출력 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 액세스 액세스 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 메모리 메모리 | 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 | 내부 내부 | 토폴로지 | 전압- 최대 (공급) | 디밍 | 전압- 최소 (공급) | 전압 - 출력 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS49NLS18320-25BL | - | ![]() | 7223 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 144-TFBGA | IS49NLS18320 | rldram 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 104 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 576mbit | 20 ns | 음주 | 32m x 18 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS65WV1288DBLL-45HLA3 | - | ![]() | 1072 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) | IS65WV1288 | sram- 비동기 | 2.3V ~ 3.6V | 32-stsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0041 | 1 | 휘발성 휘발성 | 1mbit | 45 ns | SRAM | 128k x 8 | 평행한 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS25WP256D-RHLE | 5.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 24-TBGA | IS25WP256 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 비 비 | 256mbit | 플래시 | 32m x 8 | spi-쿼드 i/o, qpi, dtr | 800µs | ||||||||||||||
![]() | IS61LPS25636A-200TQ2LI | 15.4275 | ![]() | 3779 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 100-lqfp | IS61LPS25636 | sram-동기, sdr | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200MHz | 휘발성 휘발성 | 9mbit | 3.1 ns | SRAM | 256k x 36 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 | 12.6754 | ![]() | 2938 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | 자동차, AEC-Q100 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFBGA | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 | 480 | 휘발성 휘발성 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 16 | 평행한 | 10ns | |||||||||||||||||
IS43DR16160A-3DBL-TR | - | ![]() | 6976 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 333 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 450 ps | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS61LV2568L-10KLI-TR | - | ![]() | 8715 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61LV2568 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.6V | 36-SOJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 8 | 평행한 | 10ns | ||||||||||||||
![]() | IS42VM32400H-6BLI-TR | 4.3084 | ![]() | 5593 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42VM32400 | sdram- 모바일 | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 128mbit | 5.5 ns | 음주 | 4m x 32 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV102416BLL-10TLI | 22.3000 | ![]() | 718 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) | IS61WV102416 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 48-tsop i | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 휘발성 휘발성 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 평행한 | 10ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16400D-7BLI-TR | - | ![]() | 4045 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS42S16400 | sdram | 3V ~ 3.6V | 60- 미니 바 (6.4x10.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 5.4 ns | 음주 | 4m x 16 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS45S16160G -6TLA1 -tr | 5.6177 | ![]() | 5298 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S16160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS46R16320D-6BLA2 | 11.7704 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS46R16320 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 32m x 16 | 평행한 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43LD32640B-25BPLI | - | ![]() | 2418 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 168-VFBGA | IS43LD32640 | sdram -모바일 lpddr2 -s4 | 1.14V ~ 1.95V | 168-VFBGA (12x12) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 168 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 2gbit | 음주 | 64m x 32 | 평행한 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS21ES08G-JCLI | - | ![]() | 2600 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 153-VFBGA | IS21ES08 | 플래시 -Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-VFBGA (11.5x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1641 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200MHz | 비 비 | 64gbit | 플래시 | 8g x 8 | EMMC | - | |||||||||||||
![]() | IS25LQ020B-JKLE | - | ![]() | 4005 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | IS25LQ020 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1318 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 비 비 | 2mbit | 플래시 | 256k x 8 | spi-쿼드 i/o | 800µs | |||||||||||||
![]() | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR | 4.2932 | ![]() | 9029 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | 표면 표면 | 54-VFBGA | IS66WVC4M16 | psram (의사 sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 휘발성 휘발성 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 평행한 | 70ns | ||||||||||||||
![]() | IS42VM32800K-6BLI-TR | 5.5200 | ![]() | 9806 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 90-TFBGA | IS42VM32800 | sdram- 모바일 | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.5 ns | 음주 | 8m x 32 | 평행한 | - | |||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-10TLI | 3.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61WV25616 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS25LQ032B-Jnle | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IS25LQ032 | 플래시 - 아니오 | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 706-1337 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 비 비 | 32mbit | 플래시 | 4m x 8 | spi-쿼드 i/o | 1ms | |||||||||||||
![]() | IS31FL3742-QFLS4-TR | 2.9200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 범용 | 표면 표면 | 48-wfqfn 노출 패드 | 선의 | IS31FL3742 | 1MHz | 48-QFN (6x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 38ma | 30 | 아니요 | - | 5.5V | PWM | 2.7V | - | ||||||||||||
![]() | IS29GL256-70FLET-TR | 5.0853 | ![]() | 7391 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 64-lbga | 플래시 - 아니오 (SLC) | 3V ~ 3.6V | 64-LFBGA (11x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 706-IS29GL256-70FLET-TR | 2,000 | 비 비 | 256mbit | 70 ns | 플래시 | 32m x 8 | CFI | 70ns, 200µs | |||||||||||||||||
![]() | IS43R86400D-6BL-TR | 7.1700 | ![]() | 4364 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 512mbit | 700 PS | 음주 | 64m x 8 | 평행한 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS46TR16256A-125KBLA2-TR | - | ![]() | 3822 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | 표면 표면 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | sdram -ddr3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800MHz | 휘발성 휘발성 | 4gbit | 20 ns | 음주 | 256m x 16 | 평행한 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS61LV25616AL-10LQI-TR | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-LQFP | IS61LV25616 | sram- 비동기 | 3.135V ~ 3.6V | 44-LQFP (10x10) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | ||||||||||||||
![]() | IS62WV25616EBLL-45BI-TR | - | ![]() | 2513 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-VFBGA | IS62WV25616 | sram- 비동기 | 2.2V ~ 3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 45 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 45ns | ||||||||||||||
IS61WV25616BLL-10TLI | 3.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS61WV25616 | sram- 비동기 | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 휘발성 휘발성 | 4mbit | 10 ns | SRAM | 256k x 16 | 평행한 | 10ns | |||||||||||||||
![]() | IS25WP016-JKLE | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-wdfn n 패드 | IS25WP016 | 플래시 - 아니오 | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 비 비 | 16mbit | 7 ns | 플래시 | 2m x 8 | 연속물 | 800µs | |||||||||||||
IS62WV12816BLL-45TLI-TR | 2.9945 | ![]() | 7008 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS62WV12816 | sram- 비동기 | 2.5V ~ 3.6V | 44-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 휘발성 휘발성 | 2mbit | 55 ns | SRAM | 128k x 16 | 평행한 | 55ns | |||||||||||||||
![]() | IS45S16160G-6CTLA1 | 6.8591 | ![]() | 9800 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 쟁반 | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) | IS45S16160 | sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 휘발성 휘발성 | 256mbit | 5.4 ns | 음주 | 16m x 16 | 평행한 | - | |||||||||||||
![]() | IS43DR81280B-25EBL-TR | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 60-TFBGA | IS43DR81280 | sdram -ddr2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400MHz | 휘발성 휘발성 | 1gbit | 450 ps | 음주 | 128m x 8 | 평행한 | 15ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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