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IS43TR82560CL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBLI 7.0517
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ECAD 8132 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA2 10.6309
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ECAD 7583 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 209 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS62WV51216EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45TLI 6.1500
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ECAD 610 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV51216 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS42VM32400H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-6BLI-TR 4.3084
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ECAD 5593 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32400 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS21ES08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI -
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ECAD 2600 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1641 3A991B1A 8542.32.0071 152 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC -
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 12.6754
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ECAD 2938 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 480 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS45S16160G-6TLA1 -TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G -6TLA1 -tr 5.6177
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ECAD 5298 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS25LQ020B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JKLE -
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ECAD 4005 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LQ020 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1318 귀 99 8542.32.0071 570 104 MHz 비 비 2mbit 플래시 256k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS61LPS25636A-200TQ2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQ2LI 15.4275
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ECAD 3779 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS43DR16160A-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBL-TR -
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ECAD 6976 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16160 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 450 ps 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS43LD32640B-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BPLI -
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ECAD 2418 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS43LD32640 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 168 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS46R16320D-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6BLA2 11.7704
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ECAD 4394 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42S16400D-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7BLI-TR -
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ECAD 4045 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 60- 미니 바 (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 4.2932
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ECAD 9029 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA IS66WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS61LV2568L-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-10KLI-TR -
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ECAD 8715 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV2568 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 36-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 256k x 8 평행한 10ns
IS25WP256D-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-RHLE 5.2100
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ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WP256 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61WV102416BLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416BLL-10TLI 22.3000
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ECAD 718 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS49NLC36160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-33B -
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ECAD 9013 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 300MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS25LQ040B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JBLE -
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ECAD 9444 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25LQ040 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1314 귀 99 8542.32.0071 90 104 MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS62WV25616EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BLI 3.6600
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ECAD 930 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV25616 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS25WP032A-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JLLE-TR -
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ECAD 6148 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS61NVP51236-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200B3-TR -
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ECAD 3293 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NVP51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-6.5TQLI-TR 15.0000
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ECAD 6413 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LF51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S32160B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-7BLI-TR -
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ECAD 2501 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (13x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,000 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR 9.1800
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ECAD 5963 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS61LPS25636A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQI-TR -
RFQ
ECAD 8430 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS62WV6416ALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BLI 2.9583
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ECAD 3861 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV6416 sram- 비동기 1.7V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 64k x 16 평행한 55ns
IS42S32160C-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-6BI -
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ECAD 8036 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-WBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 Q5246106 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS43R32800D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-6BL-TR -
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ECAD 8241 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 144-LFBGA IS43R32800 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS45S32800J-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-7TLA1 7.9025
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ECAD 5132 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고