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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력
IS61LF102418A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5B3I -
RFQ
 ECAD 8681 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61LF102418 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR 1.9686
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR 1,000 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS61VPS51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200TQI-TR -
RFQ
 ECAD 1116 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS43LD16320A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16320A-25BLI 8.1762
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 171 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS46LQ16128AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 5001 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4x 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16128AL-062BLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 2gbit 3.5 ns 음주 128m x 16 lvstl 18ns
IS66WVE4M16ECLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ECLL-70BLI 5.9500
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 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS25WP128F-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RMLE-TY 2.2975
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 ECAD 2471 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP128F-RMLE-TY 176 166 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS42S16100E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TL -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 50TSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS61C25616AS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AS-25TLI 4.4700
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61C25616 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 25 ns SRAM 256k x 16 평행한 25ns
IS42S16400F-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-5BL -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 200MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS25CD512-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-Jnle -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25CD512 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 100 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 5ms
IS25LP032D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JBLA3-TR 1.1438
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 ECAD 7180 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP032D-JBLA3-TR 2,000 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS43TR16512AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-15HBL 20.9281
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 ECAD 6613 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA IS43tr16512 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 136 667 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS46TR16512BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1 22.9715
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16512BL-125KBLA1 136 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS49RL36160-125FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-125FBLI -
RFQ
 ECAD 3312 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 168-lbga rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49RL36160-125FBLI 쓸모없는 1 800MHz 휘발성 휘발성 576mbit 8 ns 음주 16m x 36 평행한 -
IS61WV102416FBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10B2LI 9.1946
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 ECAD 4645 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI 480 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS62WV25616DBLL-45TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV25616 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS25LQ512B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JULE-TR -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-ufdfn 노출 패드 IS25LQ512 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8- 호스 (2x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 spi-쿼드 i/o 800µs
IS21TF32G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF32G-JQLI-TR 36.0000
RFQ
 ECAD 7751 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21TF32G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF32G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 MMC -
IS66WVC4M16EALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16EALL-7010BLI 4.6313
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 54-VFBGA IS66WVC4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 54-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS43TR85120AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (9x10.5) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR85120AL-107MBLI 귀 99 8542.32.0036 220 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS61QDPB41M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-400M3L 75.0000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB41 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 400MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS42S16800F-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6B -
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42S16160D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 6712 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS63WV1024BLL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12BLI-TR 2.2334
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 ECAD 4291 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS63WV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS43TR16640AL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640AL-125JBLI-TR -
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43QR16512A-083TBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBL 17.2512
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 ECAD 7388 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43QR16512 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43QR16512A-083TBL 귀 99 8542.32.0036 136 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 19 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS31LT3932-GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3932-GRLS2-TR -
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 ECAD 2095 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AC DC 스위처 오프라인 IS31LT3932 - 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 - 1 아니요 플라이 플라이 플라이, 백 다운 (벅), 스텝 업 (부스트 부스트) 30V - 8V -
IS63LV1024-10J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-10J-TR -
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 ECAD 4712 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS42S16800F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BLI-TR 2.4879
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 ECAD 4731 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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