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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR 2.3595
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS62WVS2568 sram-동기, sdr 2.2V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 3,000 20MHz 휘발성 휘발성 2mbit SRAM 256k x 8 spi-쿼드 i/o, sdi, dtr -
IS43LD32800B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32800B-25BLI-TR 5.1543
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 ECAD 8436 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LD32800B-25BLI-TR 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 HSUL_12 15ns
IS42VM16320D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320D-75BLI -
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 ECAD 9406 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16320 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR 3.6017
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 ECAD 9281 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS66WVO16M8DALL-200-BLI-TR 2,500 200MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5 ns psram 16m x 8 SPI -OCTAL I/O 35ns
IS42S32160C-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-75BLI-TR -
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 ECAD 6125 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-WBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS43LR32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BL-TR 5.3250
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 ECAD 1088 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.5 ns 음주 8m x 32 평행한 15ns
IS45S32400F-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-6BLA2 9.5190
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 ECAD 6414 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS45S16320D-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA1 19.4659
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 ECAD 2984 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 240 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS42RM32160C-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160C-75BL -
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 ECAD 8288 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42RM32160 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-WBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS49NLC18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-25BI -
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 ECAD 3776 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 32m x 18 평행한 -
IS43LR16320C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BL-TR 5.9250
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR 2.0460
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 ECAD 6274 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS62WVS0648 sram-동기, sdr 2.2V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 3,000 20MHz 휘발성 휘발성 512kbit SRAM 64k x 8 spi-쿼드 i/o, sdi, dtr -
IS43LD32128C-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128C-25BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 1550 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR 귀 99 8542.32.0036 1
IS22TF128G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JQLA1-TR 74.4800
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 ECAD 6033 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS22TF128G-JQLA1-TR 1,000 200MHz 비 비 1tbit 플래시 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS49NLS18320A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-25ewbli 54.4856
RFQ
 ECAD 1222 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLS18320A-25ewbli 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 15 ns 음주 32m x 18 HSTL -
IS21TF08G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JQLI-TR -
RFQ
 ECAD 5695 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga IS21TF08G 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS21TF08G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 MMC -
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBLI -
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 ECAD 5204 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS34MW01G084-BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G084-BLI 3.6500
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 ECAD 5673 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 63-VFBGA 플래시 -Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-VFBGA (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS34MW01G084-BLI 220 비 비 1gbit 30 ns 플래시 128m x 8 평행한 45ns
IS61QDPB451236A-400M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB451236A-400M3LI 45.0000
RFQ
 ECAD 5607 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDPB451236 sram-동기, Quadp 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 400MHz 휘발성 휘발성 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS21ES08GA-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08GA-JCLI-TR 17.4700
RFQ
 ECAD 721 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 153-VFBGA IS21ES08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 153-VFBGA (11.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC -
IS62WV51216EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI 5.8352
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 ECAD 6576 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA IS62WV51216 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 312 휘발성 휘발성 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 평행한 55ns
IS43DR86400C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBLI 6.8343
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 ECAD 4987 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR86400 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 242 400MHz 휘발성 휘발성 512mbit 400 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS62WV102416DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416DBLL-45TLI-TR 8.7750
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 ECAD 1898 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV102416 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 평행한 45ns
IS61LV25616AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TLI 4.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS46LD32128B-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA2-TR -
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 ECAD 6181 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 168-VFBGA IS46LD32128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-VFBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR 귀 99 8542.32.0036 1 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 5.5 ns 음주 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43LD16128B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BLI 11.0516
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16128 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 171 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61VPS51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200B3LI-TR 15.6750
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 ECAD 6367 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS51236 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61VF102418A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-6.5B3-TR -
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VF102418 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 휘발성 휘발성 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 평행한 -
IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR 3.8489
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 평행한 45ns
IS46LQ32128A-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 3.5 ns 음주 128m x 32 lvstl 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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