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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS65WV25616ECLL-45CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616ECLL-45CTLA3 -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS65WV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.465V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
IS46TR16128C-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA25 7.0633
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 115 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16128C-125KBLA25 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61WV6416DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416DBLL-10TLI 2.4900
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 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61WV6416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 64k x 16 평행한 10ns
IS62WVS5128FALL-16NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128FALL-16NLI-TR -
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS62WVS5128 sram-동기, sdr 1.65V ~ 2.2V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS62WVS5128Fall-16nli-tr 3A991B2A 8542.32.0041 100 16MHz 휘발성 휘발성 4mbit SRAM 512k x 8 spi-쿼드 i/o -
IS62WV20488BLL-25TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488BLL-25TLI-TR 18.0000
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS62WV20488 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns SRAM 2m x 8 평행한 25ns
IS46TR16512BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 21.6125
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 ECAD 4230 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 2,000 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS46LD32640B-25BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA1-TR -
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 ECAD 8659 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32640B-25BLA1-TR 1 400MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI 4.2400
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 ECAD 480 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 4.4904
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA psram (의사 sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit psram 32m x 8 SPI -OCTAL I/O 37.5ns
IS42VM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-6BLI 2.5287
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 ECAD 7874 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32100 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 음주 1m x 32 평행한 -
IS25WP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JNLE 0.3196
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 ECAD 4772 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25WP040 플래시 - 아니오 1.7V ~ 1.95V 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WP040E-Jnle 귀 99 8542.32.0071 100 104 MHz 비 비 4mbit 8 ns 플래시 512k x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS42S32400B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43TR16512S1DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S1DL-125KBLI -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LWBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16512S1DL-125KBLI 190 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS61LV12816L-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BLI -
RFQ
 ECAD 8205 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61LV12816 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 2mbit 10 ns SRAM 128k x 16 평행한 10ns
IS62WV1288FALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FALL-55BLI -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV1288 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 156 휘발성 휘발성 1mbit 55 ns SRAM 128k x 8 평행한 45ns
IS46TR16128CL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA1 6.3585
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 ECAD 5845 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS64WV25616BLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10BLA3 9.5911
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 ECAD 8528 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS64WV25616 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS42S32800J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TLI 7.2600
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 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS46DR81280B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA1 -
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 ECAD 3752 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 242 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS46TR16128BL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA1 -
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 ECAD 5019 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS43R16160F-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BI -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43R16160F-5BI 쓸모없는 242 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 16m x 16 평행한 15ns
IS42S32800D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6B -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS25LQ032B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JNLE-TR -
RFQ
 ECAD 2322 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS25LQ032 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS46LQ16256A-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1 14.3129
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 ECAD 7071 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-VFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 lvstl -
IS43TR81024BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBLI-TR 21.5460
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 ECAD 4195 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR81024BL-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 1g x 8 평행한 15ns
IS43DR82560B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBL -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR82560 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (10.5x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 136 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 256m x 8 평행한 15ns
IS46R16320D-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-5BLA1 10.5177
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 ECAD 4008 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46R16320 sdram -ddr 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 200MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS46LQ16256A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 12.8611
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 ECAD 9186 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-TFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 2,500 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 lvstl -
IS22TF08G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF08G-JQLA1 18.3944
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 ECAD 9935 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (PSLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS222TF08G-JQLA1 98 200MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 EMMC_5.1 -
IS43TR82560BL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-15HBL -
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr82560 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 242 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 256m x 8 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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