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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 전압- v (VCC/VDD) 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 토폴로지 주파수 - 스위칭 제어 제어 출력 출력 출력 출력 듀티 듀티 (사이클) 동기 동기 클록 클록 직렬 직렬
IS46QR16256B-083RBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16256B-083RBLA1-TR 8.6716
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (7.5x13.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46QR16256B-083RBLA1-TR 2,500 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 19 ns 음주 256m x 16 현물 현물 지불 15ns
IS37SML01G1-MLI-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS37SML01G1-MLI-TY 3.7073
RFQ
 ECAD 4809 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 -Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS37SML01G1-MLI-TY 176 104 MHz 비 비 1gbit 8 ns 플래시 128m x 8 SPI -
IS41LV16105B-50TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50TL-TR -
RFQ
 ECAD 5628 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16105 dram -fp 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS43TR85120BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-125KBLI 11.2800
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (9x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR85120BL-125KBLI 귀 99 8542.32.0036 242 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS61NVP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-166TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 4627 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NVP204836 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 휘발성 휘발성 72mbit 3.8 ns SRAM 2m x 36 평행 -
IS42RM32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32100D-6BLI-TR 2.4320
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32100 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 5.5 ns 드람 1m x 32 평행한 -
IS42SM32800K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800K-75BLI 5.8888
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 ECAD 9394 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32800 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS42S32400E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS43TR16640CL-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-125JBL-TR 2.8125
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR16640CL-125JBL-TR 귀 99 8542.32.0032 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS61WV25616FBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616FBLL-10TLI 2.9766
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV25616FBLL-10TLI 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS25WP128F-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JLLE-TR 1.9148
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-wson (8x6) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP128F-JLLE-TR 4,000 166 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS49NLC96400A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS49NLC96400A-25WBLI 104 400MHz 휘발성 휘발성 576mbit 20 ns 음주 64m x 9 HSTL -
IS61WV51216BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216BLL-10MLI 16.0200
RFQ
 ECAD 575 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 트레이 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61WV51216 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 210 휘발성 휘발성 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 평행한 10ns
IS41LV16100B-50TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TL-TR -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS41LV16100 드람 -에도 3V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS45S16320D-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA2 23.1600
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 ECAD 6411 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 240 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS43TR16128C-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBLI-TR 5.3457
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS45S16800E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6BLA1 -
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 ECAD 3346 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS42S32800J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BL-TR 5.3250
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 드람 8m x 32 평행한 -
IS41LV16100D-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100D-50TLI 5.8058
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비), 44 개의 리드 IS41LV16100 드람 -에도 3V ~ 3.6V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 117 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS25WP064D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JKLE 1.3884
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 플래시 - 아니오 (SLC) 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP064D-JKLE 570 166 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS61DDB21M18A-300B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18A-300B4L 32.3796
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0002 144 300MHz 휘발성 휘발성 18mbit SRAM 1m x 18 평행한 -
IS61QDB42M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3 -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61QDB42 sram-동기, 쿼드 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 평행한 -
IS61DDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36C-250M3L -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 165-lbga IS61DDB21 SRAM-동기, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 105 250MHz 휘발성 휘발성 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 2.2334
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV12816 sram- 비동기 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 2mbit 55 ns SRAM 128k x 16 평행한 55ns
IS22TF16G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JQLA1 27.0504
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lbga 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LFBGA (14x18) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS22TF16G-JQLA1 98 200MHz 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 EMMC_5.1 -
IS31PM3510-ZLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31PM3510-ZLS4-TR -
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm) 노출 패드 트랜지스터 트랜지스터 16-esssop - 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 2,500 스텝 스텝 스텝, 업 다운, 스텝 업/스텝 다운 4.5V ~ 55V 1 벅, 벅, 부스트-부스트 150kHz ~ 650kHz " 긍정적인 1 95.5% 아니요 예 -
IS45S16160J-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7BLA2 4.7663
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 ECAD 2946 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 트레이 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 348 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS62WVS1288FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288FBLL-20NLI 2.5017
RFQ
 ECAD 6604 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IS62WVS1288 sram-동기, sdr 2.2V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 100 20MHz 휘발성 휘발성 1mbit SRAM 128k x 8 spi-쿼드 i/o, sdi -
IS42VM16160K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI-TR 4.9021
RFQ
 ECAD 7673 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42VM16160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 256mbit 6 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS49NLC36800-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-33WBLI -
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-TWBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 300MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 8m x 36 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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