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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 빈도 기술 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 load 시계 시계 출력 출력 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지 내부 내부 토폴로지 전압- 최대 (공급) 디밍 전압- 최소 (공급) 전압 - 출력
IS32LT3172-GRLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3172-GRLA3-TR -
RFQ
 ECAD 1808 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 자동차, 조명 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 선의 IS32LT3172 - 8-SOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 200ma 1 예 - 42V - 5V 42V
IS31AP2010F-UTLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31AP2010F-utls2-TR -
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 9-UFBGA d. d Depop, 셧다운 IS31AP2010 1 채널 (모노) 2.7V ~ 5.5V 9- UTQFN (1.5x1.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 2.8W x 1 @ 4ohm
IS32LT3171-STLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3171-STLA3-TR -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 자동차, 조명 표면 표면 SOT-23-6 선의 IS32LT3171 - SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 150ma 1 예 - 5.5V PWM 2.5V 42V
IS42S16100F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS42S16100 sdram 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 휘발성 휘발성 16mbit 5.5 ns 음주 1m x 16 평행한 -
IS43DR16640B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBL-TR 4.2171
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 ECAD 7060 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S16400J-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7BL 1.8062
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 ECAD 9524 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS61LPS25636B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636B-200TQLI 15.3000
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 ECAD 3300 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1538 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS42S16400D-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TI-TR -
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 ECAD 8242 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43TR16512B-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-107MBL-TR 17.5826
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 ECAD 3610 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (10x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16512B-107MBL-TR 2,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS43DR81280C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBL-TR 3.0653
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 60-TFBGA sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43DR81280C-3DBL-TR 2,000 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 128m x 8 SSTL_18 15ns
IS43LR16640C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BL-TR 6.7805
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 ECAD 8290 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR16640C-6BL-TR 2,000 166 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 5 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 3.8489
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 2,500 휘발성 휘발성 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 평행한 45ns
IS61NLP51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3LI 20.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS61WV51232BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51232BLL-10BLI 18.6794
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS61WV51232 sram- 비동기 1.65V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 240 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 512k x 32 평행한 10ns
IS43QR16256B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBLI 13.3100
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 ECAD 654 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-bga IS43QR16256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-bga 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1734 귀 99 8542.32.0036 198 1.2GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS43TR16128DL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-125KBLI 6.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1725 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS46TR16256B-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-125KBLA1-TR 7.7038
RFQ
 ECAD 3832 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16256 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16256B-125KBLA1-TR 귀 99 8542.32.0036 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS25LQ032B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JKLE -
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LQ032 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1336 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o 1ms
IS43TR85120BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-107MBLI-TR -
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 78-TFBGA IS43tr85120 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS43TR85120BL-107MBLI-TR 귀 99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 512m x 8 평행한 15ns
IS62WV20488EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488EBLL-55BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV20488 sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 2m x 8 평행한 55ns
IS25WX256-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX256-JHLE 5.4400
RFQ
 ECAD 474 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WX256 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WX256-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 256mbit 플래시 32m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS45S16160G-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA1-TR 5.3954
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16160 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 16m x 16 평행한 -
IS43LR32640B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640B-6BLI-TR 9.0573
RFQ
 ECAD 7096 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA sdram- 모바일 lpddr 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43LR32640B-6BLI-TR 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5 ns 음주 64m x 32 평행한 15ns
IS29GL256-70FLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70FLET 8.1900
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga IS29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS29GL256-70FLET 3A991B1A 8542.32.0071 144 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 평행한 200µs
IS29GL256-70DLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLET 7.7700
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga IS29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS29GL256-70DLET 3A991B1A 8542.32.0071 260 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 평행한 200µs
IS46LD32320A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-25BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6813 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA IS46LD32320 sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,200 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 32m x 32 평행한 15ns
IS25WX064-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX064-JHLE 2.8800
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA IS25WX064 플래시 1.7V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25WX064-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
IS42RM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-6BLI 5.0466
RFQ
 ECAD 1951 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32400 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS25LP032D-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JMLE-TY 1.0982
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP032D-JMLE-TY 176 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS46TR16128DL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA1 5.5503
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16128DL-125KBLA1 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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