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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS61LP6432A-133TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6432A-1333333333TQLI-TR 5.4170
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LP6432 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.6V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 휘발성 휘발성 2mbit 4 ns SRAM 64k x 32 평행한 -
IS62WV5128EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55TLI-TR 4.0112
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS64LPS12832EC-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832EC-200TQLA3 10.6794
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LPS12832 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 4mbit 3.1 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
IS46DR16128C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA1 13.1702
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 209 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS61NLP51236-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3I -
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 ECAD 8877 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61NLP51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS42S32160A-75B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75B-TR -
RFQ
 ECAD 4180 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 90-LFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42SM16320E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16320E-75BLI-TR 10.0800
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 ECAD 1616 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16320 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS43R16320D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BLI 8.9966
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 ECAD 2640 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS62C256AL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-45TLI-TR 1.0839
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 ECAD 2770 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62C256 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 2,000 휘발성 휘발성 256kbit 45 ns SRAM 32k x 8 평행한 45ns
IS42S32800J-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBLI 6.8011
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 ECAD 4969 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42S32800 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS25LP064D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLE 1.3102
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 ECAD 8623 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP064D-JBLE 90 166 MHz 비 비 64mbit 플래시 8m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS63WV1288DBLL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10JLI-TR 2.1192
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 ECAD 7208 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63WV1288 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 1,000 휘발성 휘발성 1mbit 10 ns SRAM 128k x 8 평행한 10ns
IS43LD16640A-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-25BL-TR -
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 ECAD 8158 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,200 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S83200D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-6TLI -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS42S32160F-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75ETL-TR 11.4600
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 ECAD 7540 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 86-TFSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S32160 sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 1,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS25WP032D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JKLE 1.3900
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 ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS62WV5128DALL-55HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55HLI-TR -
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS42S32200C1-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BI -
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 ECAD 5214 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-LFBGA IS42S32200 sdram 3.15V ~ 3.45V 90-bga (13x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS61LV25616AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10KLI-TR -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-BSOJ (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS61WV20488FBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-8BLI-TR 9.0839
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 ECAD 8471 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS61WV20488FBLL-8BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 8 ns SRAM 2m x 8 평행한 8ns
IS43TR16640B-15GBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-15GBLI-TR -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16640 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 1,500 667 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS43TR16512S1DL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S1DL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-LFBGA sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-LFBGA (9x13) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS43TR16512S1DL-125KBL-TR 1,500 800MHz 휘발성 휘발성 8gbit 20 ns 음주 512m x 16 평행한 15ns
IS46LD32640B-18BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-18BLA2 -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-TFBGA sdram -모바일 lpddr2 -s4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46LD32640B-18BLA2 1 533 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 5.5 ns 음주 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS25LP128F-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JKLE 1.9668
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25LP128 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 Q12744417D2 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS29GL256-70FLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70FLET 8.1900
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga IS29GL256 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 64-LFBGA (11x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS29GL256-70FLET 3A991B1A 8542.32.0071 144 비 비 256mbit 70 ns 플래시 32m x 8 평행한 200µs
IS46QR16256B-083RBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16256B-083RBLA2 10.5453
RFQ
 ECAD 2762 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc * 대부분 활동적인 표면 표면 96-TFBGA 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 198
IS45S32400E-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6398 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS45S32400 sdram 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 4m x 32 평행한 -
IS61NLP25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200TQLI 16.0200
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61NLP25636 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 9mbit 3.1 ns SRAM 256k x 36 평행한 -
IS42S16800E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7TL -
RFQ
 ECAD 5426 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS62WV25616EBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45B2LI-TR 3.7090
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV25616EBLL-45B2LI-TR 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 256k x 16 평행한 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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