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IS46TR16128DL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-125KBLA1 5.5503
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ECAD 7678 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16128 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16128DL-125KBLA1 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS46DR16128C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA2 15.1425
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ECAD 3535 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS46DR16128 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 209 333 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 450 ps 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS25LP032D-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JMLE-TY 1.0982
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ECAD 7628 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS25LP032D-JMLE-TY 176 133 MHz 비 비 32mbit 7 ns 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 40µs, 800µs
IS45S16800E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7TLA1-TR -
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ECAD 4097 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS49NLC18160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-25BI -
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ECAD 1668 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 104 400MHz 휘발성 휘발성 288mbit 20 ns 음주 16m x 18 평행한 -
IS43QR16256A-093PBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBLI -
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ECAD 5477 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43QR16256 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1475 귀 99 8542.32.0036 50 1.05GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 평행한 -
IS62WV102416FALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416Fall-55bli-Tr 7.5411
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ECAD 9908 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-VFBGA sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62WV102416Fall-55BLI-TR 2,500 휘발성 휘발성 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 평행한 55ns
IS42VM32200K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-6BLI -
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ECAD 4515 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 240 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS42S83200B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-6TLI -
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ECAD 3088 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S83200 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 108 166 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 5.4 ns 음주 32m x 8 평행한 -
IS61LV25616AL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10BLI-TR 3.7646
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ECAD 3189 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS61LV25616 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 256k x 16 평행한 10ns
IS61WV102416EDBLL-10T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10T2LI 12.4385
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ECAD 4609 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 2.4V ~ 3.6V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 평행한 10ns
IS61VPS204836B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-250B3LI 132.7500
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ECAD 6002 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 165-TBGA IS61VPS204836 sram-동기, sdr 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 144 250MHz 휘발성 휘발성 72mbit 2.8 ns SRAM 2m x 36 평행한 -
IS61WV102416ALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416ALL-20TLI 21.6012
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ECAD 7595 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) IS61WV102416 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 48-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 96 휘발성 휘발성 16mbit 20 ns SRAM 1m x 16 평행한 20ns
IS42VM32800K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800K-75BLI 6.0630
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ECAD 6372 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32800 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 240 133 MHz 휘발성 휘발성 256mbit 6 ns 음주 8m x 32 평행한 -
IS43R16320D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BI -
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ECAD 8198 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 32m x 16 평행한 15ns
IS42VM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-6BLI-TR -
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ECAD 5573 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32200 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.5 ns 음주 2m x 32 평행한 -
IS61LV256AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256AL-10TLI 1.5200
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ECAD 2 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS61LV256 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 10 ns SRAM 32k x 8 평행한 10ns
IS46TR16640AL-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640AL-125JBLA2 -
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ECAD 2564 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 190 800MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 -
IS62WV5128DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45BLI-TR -
RFQ
ECAD 9983 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 36-TFBGA IS62WV5128 sram- 비동기 2.3V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS62LV256AL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45TLI 1.4200
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ECAD 4923 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 28-TSSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62LV256 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 28-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 256kbit 45 ns SRAM 32k x 8 평행한 45ns
IS43TR16256AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-125KBL -
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ECAD 3824 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16256 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1207 귀 99 8542.32.0036 190 800MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 15ns
IS42VM32160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160E-75BLI-TR 8.9400
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ECAD 9513 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42VM32160 sdram- 모바일 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS46R86400D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R86400D-6BLA1 9.9837
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ECAD 8637 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS46R86400 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 190 166 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 700 PS 음주 64m x 8 평행한 15ns
IS42S16400J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BL 1.8423
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ECAD 4712 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 348 166 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS45S16400J-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7TLA2-TR 4.0698
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ECAD 8719 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16400 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 64mbit 5.4 ns 음주 4m x 16 평행한 -
IS43DR16640B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI-TR 6.3750
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ECAD 9151 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 84-TFBGA IS43DR16640 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 84-TWBGA (8x12.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,500 333 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 450 ps 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS25WP128F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JBLE-TR 1.8653
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ECAD 7695 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) IS25WP128 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 비 비 128mbit 플래시 16m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS62WV102416BLL-25MI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25MI -
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ECAD 5852 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS62WV102416 sram- 비동기 1.65V ~ 3.6V 48- 바 미니 (9x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 220 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns SRAM 1m x 16 평행한 25ns
IS63LV1024L-12JL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12JL -
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ECAD 8909 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 32-BSOJ (0.300 ", 7.62mm 너비) IS63LV1024 sram- 비동기 3V ~ 3.6V 32-SOJ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 22 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS62C1024AL-35QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35QLI 3.8200
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ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-SOIC (0.445 ", 11.30mm 너비) IS62C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 84 휘발성 휘발성 1mbit 35 ns SRAM 128k x 8 평행한 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고