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통합 통합 (ICS) (5782)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
IS25LP512M-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RHLA3 7.8261
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP512M-RHLA3 480 133 MHz 비 비 512mbit 7 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS62WV5128EALL-55HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55HLI-TR -
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS62WV5128 sram- 비동기 1.65V ~ 2.2V 32-tsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 1 휘발성 휘발성 4mbit 55 ns SRAM 512k x 8 평행한 55ns
IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12832A-7.5TQLA3-TR 11.0250
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 ECAD 7259 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS64LF12832 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 휘발성 휘발성 4mbit 7.5 ns SRAM 128k x 32 평행한 -
IS42RM16800H-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-6BLI-TR 4.1257
RFQ
 ECAD 3052 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42RM16800 sdram- 모바일 2.3V ~ 2.7V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.5 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61LV5128AL-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10T -
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 ECAD 2611 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 44-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS61LV5128 sram- 비동기 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 135 휘발성 휘발성 4mbit 10 ns SRAM 512k x 8 평행한 10ns
IS42S81600E-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-7tli -
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 ECAD 1404 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S81600 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 16m x 8 평행한 -
IS25WD040-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JKLE-TR -
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 ECAD 8201 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WD040 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,000 80MHz 비 비 4mbit 플래시 512k x 8 SPI 3ms
IS43R83200D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-5TL-TR 4.9392
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 ECAD 2946 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 66-TSSOP (0.400 ", 10.16mm 너비) IS43R83200 sdram -ddr 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0024 1,500 200MHz 휘발성 휘발성 256mbit 700 PS 음주 32m x 8 평행한 15ns
IS25WP032A-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JKLE-TR -
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 ECAD 3488 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 IS25WP032 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-wson (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 비 비 32mbit 플래시 4m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 800µs
IS46LQ16256A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062BLA1 -
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 ECAD 3518 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 200-WFBGA sdram- 모바일 lpddr4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-VFBGA (10x14.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS46LQ16256A-062BLA1 136 1.6GHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 256m x 16 lvstl -
IS43DR81280B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25DBLI-TR 6.9300
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 ECAD 5621 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 60-TFBGA IS43DR81280 sdram -ddr2 1.7V ~ 1.9V 60-TWBGA (8x10.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0032 2,000 400MHz 휘발성 휘발성 1gbit 400 PS 음주 128m x 8 평행한 15ns
IS42SM32160E-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160E-75BL 9.2883
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 ECAD 6314 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42SM32160 sdram- 모바일 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS42S16320B-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETL -
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 ECAD 2797 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.5 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS71LD32160WP128-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS71LD32160WP128-25BPLI -
RFQ
 ECAD 2817 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - IS71LD32160 플래시 - 아니오, dram -lpddr2 1.2V, 1.8V 168-bga 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 706-1458 귀 99 8542.32.0028 108 133 MHz 비 비, 휘발성 128mbit (Flash), 512mbit (DRAM) 플래시, 램 - 평행한 -
IS62C5128EL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128EL-45TLI 3.5517
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 ECAD 1952 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-stsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS62C5128EL-45TLI 117 휘발성 휘발성 4mbit 45 ns SRAM 512k x 8 평행한 45ns
IS66WVE4M16EALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16EALL-70BLI 5.5800
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 ECAD 4 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFBGA IS66WVE4M16 psram (의사 sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 480 휘발성 휘발성 64mbit 70 ns psram 4m x 16 평행한 70ns
IS43TR16128A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-15HBL -
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 ECAD 9365 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS43tr16128 sdram -ddr3 1.425V ~ 1.575V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 190 667 MHz 휘발성 휘발성 2gbit 20 ns 음주 128m x 16 평행한 15ns
IS45S16320F-7CTLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7CTLA2 16.4357
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 ECAD 9048 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16320 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 108 143 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 5.4 ns 음주 32m x 16 평행한 -
IS42SM16200D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16200D-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 54-TFBGA IS42SM16200 sdram- 모바일 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 휘발성 휘발성 32mbit 6 ns 음주 2m x 16 평행한 -
IS42RM32160E-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BL 9.8419
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 ECAD 6343 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 90-TFBGA IS42RM32160 sdram- 모바일 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0028 240 133 MHz 휘발성 휘발성 512mbit 6 ns 음주 16m x 32 평행한 -
IS25CD512-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JDE -
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 ECAD 9504 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) IS25CD512 플래시 2.7V ~ 3.6V 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 3,500 100MHz 비 비 512kbit 플래시 64k x 8 SPI 5ms
IS61LPS102436B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102436B-200TQLI-TR 69.3000
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 ECAD 3399 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS102436 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 800 200MHz 휘발성 휘발성 36mbit 3.1 ns SRAM 1m x 36 평행한 -
IS25WP01G-RILE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G- 라일 11.3725
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 ECAD 3939 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-lbga 플래시 - 아니오 (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-LFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25WP01G- 라일 480 104 MHz 비 비 1gbit 10 ns 플래시 128m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 50µs, 1ms
IS61C1024AL-12HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12HLI 1.9868
RFQ
 ECAD 4225 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 32-TFSOP (0.465 ", 11.80mm 너비) IS61C1024 sram- 비동기 4.5V ~ 5.5V 32-stsop i 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2B 8542.32.0041 234 휘발성 휘발성 1mbit 12 ns SRAM 128k x 8 평행한 12ns
IS25LP512MG-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RHLE-TR 4.7755
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 ECAD 3618 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 24-TBGA 플래시 - 아니오 (SLC) 2.3V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 706-IS25LP512MG-RHLE-TR 2,500 166 MHz 비 비 512mbit 5.5 ns 플래시 64m x 8 spi-쿼드 i/o, qpi, dtr 70µs, 4ms
IS46TR16640CL-107MBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-107MBLA3 -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA IS46TR16640 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-TWBGA (9x13) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-IS46TR16640CL-107MBLA3 귀 99 8542.32.0032 190 933 MHz 휘발성 휘발성 1gbit 20 ns 음주 64m x 16 평행한 15ns
IS42S16800F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7TL 2.7100
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 ECAD 3 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS42S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 706-1205 귀 99 8542.32.0002 108 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS61LPS51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236B-200TQLI 19.1200
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 ECAD 144 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp IS61LPS51236 sram-동기, sdr 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 휘발성 휘발성 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 평행한 -
IS45S16800E-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7TLA2-TR -
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 ECAD 4586 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 54-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비) IS45S16800 sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 휘발성 휘발성 128mbit 5.4 ns 음주 8m x 16 평행한 -
IS41C16105C-50TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50TI-TR -
RFQ
 ECAD 5579 0.00000000 ISSI, 실리콘 통합 솔루션 in Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 50-tsop (0.400 ", 10.16mm 너비), 44 개의 리드 IS41C16105 dram -fp 4.5V ~ 5.5V 50-TSOP II 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0002 1,000 휘발성 휘발성 16mbit 25 ns 음주 1m x 16 평행한 84ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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